Tutup Btn

Pilih tapak Serantau Anda

Tutup

JSM-IT800
Pelepasan Lapangan Schottky
Mikroskop Elektron Mengimbas

Mikroskop Elektron Pengimbasan Pancaran Medan Schottky JSM-IT800

Ciri-ciri

JSM-IT800 menggabungkan "Senapang elektron pelepasan medan Schottky Plus dalam kanta" kami untuk pengimejan resolusi tinggi kepada pemetaan unsur pantas, dan sistem kawalan optik elektron inovatif "Neo Engine", serta sistem GUI lancar "SEM Center" untuk pemetaan unsur pantas dengan spektrometer sinar-X (EDS) penyebaran tenaga JEOL terbenam sepenuhnya, sebagai platform biasa.
JSM-IT800 membenarkan penggantian kanta objektif SEM sebagai modul, menawarkan versi berbeza untuk memenuhi pelbagai keperluan pengguna. Dengan JSM-IT800, lima versi tersedia dengan kanta objektif yang berbeza: versi kanta hibrid (HL), yang merupakan FE-SEM tujuan umum; versi kanta super hibrid (SHL/SHL, dua versi dengan fungsi berbeza), yang membolehkan pemerhatian dan analisis resolusi lebih tinggi; dan versi separa dalam kanta yang baru dibangunkan (i/is, dua versi dengan fungsi berbeza), yang sesuai untuk pemerhatian peranti semikonduktor.
Tambahan pula, JSM-IT800 juga boleh dilengkapi dengan Pengesan Elektron Tersebar Balik Scintillator (SBED) dan Pengesan Elektron Tersebar Belakang Serbaguna (VBED). SBED membolehkan pemerolehan imej dengan responsif tinggi dan menghasilkan kontras bahan yang tajam walaupun pada voltan pecutan rendah, manakala VBED boleh membantu mendapatkan imej kontras 3D, topografi dan bahan. Oleh itu, JSM-IT800 boleh membantu pengguna mendapatkan maklumat yang tidak diperolehi dan menyelesaikan masalah dalam pengukuran.

Pistol Pilihan Raya Pelepasan Lapangan Schottky Plus Dalam Lensa (FEG)

In-Lens Schottky Plus bersepadu dan kanta pemeluwap penyimpangan rendah mencapai kecerahan pancaran tinggi. Arus probe yang mencukupi (100nA@5kV) tersedia walaupun pada voltan pecutan rendah. Ini membolehkan pengguna melakukan pemerhatian resolusi tinggi, pemetaan unsur berkelajuan tinggi, analisis EBSD dan analisis sinar-X Lembut dengan pelarasan minimum parameter SEM.

Enjin Neo (Enjin Optik Elektron Baharu)

Sistem kawalan optik elektron generasi nex, karya agung teknologi optik elektron JEOL telah digabungkan. Pemerhatian yang stabil boleh dilakukan semasa melaraskan pelbagai parameter mikroskop. Tambahan pula, sistem ini menampilkan fungsi auto yang dipertingkatkan untuk kemudahan penggunaan tambahan.

AFS・ACB


Sebelum pelarasan fokus automatik


Selepas pelarasan fokus automatik

Spesimen: Sn zarah pada karbon
Voltan pecutan: 15 kV, WD: 2mm, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UED, Pembesaran: x200,000

SEM Center・EDS integrasi

Penyepaduan penuh mikroskop GUI "SEM Center" dan JEOL EDS telah menghasilkan penggunaan SEM generasi akan datang. Selain itu, JSM-IT800 menggabungkan Smile Navi (pilihan) yang boleh membantu pemula dengan cara mengendalikan penapis SEM, LIVE-AI (kecerdasan buatan) Live-AI (Penambah Visual Imej Langsung-AI:LIVE-AI)(pilihan) menyediakan tontonan imej langsung yang mudah, dan Makmal SMILE VIEW™ untuk penjanaan laporan yang pantas.

Makmal SMILE VIEW™

SMILENAVI *Pilihan

SMILENAVI ialah alat pembantu yang direka untuk pemula untuk membolehkan operasi asas SEM yang lancar. Apabila pengendali mengklik pada butang yang sesuai seperti yang ditunjukkan oleh carta alir SMILENAVI, GUI SEM dipautkan kepada operasi klik untuk panduan pengendali. Memandangkan GUI memaparkan langkah operasi dan lokasi butang, pengendali akan dapat mengendalikan SEM tanpa menggunakan SMILENAVI.

Penapis LIVE-AI (Penambah Visual Imej Langsung-AI:LIVE-AI)

Menggunakan keupayaan AI (kecerdasan buatan), penapis LIVE-AI digabungkan untuk kualiti imej langsung yang lebih tinggi. Tidak seperti pemprosesan penyepaduan imej, penapis baharu ini boleh memaparkan imej langsung bergerak lancar tanpa imej baki. Ciri unik ini sangat berkesan untuk mencari kawasan cerapan, pemfokusan dan pelarasan stigmator dengan cepat.

Perbandingan imej langsung

Spesimen: Eksoskeleton semut, Voltan pecutan: 0.5 kV, Pengesan: SED

Spesimen: Karat besi, Voltan pecutan: 1 kV, Pengesan: SED

Versi Kanta Hibrid (HL;Kanta Hibrid) /
Versi Kanta Super Hibrid (SHL;Kanta Hibrid Super) /
Versi Semi-In-Lens

Siri JSM-IT800 menawarkan pilihan kanta objektif yang sesuai dengan tujuan pengguna.
Versi HL dan versi SHL (termasuk versi SHL) dilengkapi dengan kanta objektif superposisi medan elektromagnet/elektrostatik yang dibangunkan daripada kanta luar serba boleh.
Pemerhatian resolusi tinggi dan analisis pelbagai jenis spesimen daripada logam kepada bahan nano adalah mungkin. Ia amat berguna untuk pemerhatian bahan magnetik dan analisis seperti pengukuran EBSD.

Versi i dan versi is dilengkapi dengan kanta separa dalam. Ia adalah optimum untuk pemerhatian resolusi tinggi dan analisis sampel condong dan keratan rentas, yang diperlukan untuk analisis kegagalan peranti semikonduktor.
Selain itu, ia berguna untuk pemerhatian kontras yang berpotensi menggunakan pengesan kanta dalam atas (UID).

Jenis kanta luar Kanta objektif superposisi medan elektromagnet/elektrostatik Separuh Dalam-Kanta

Keserbagunaan tinggi

Sistem: JSM-IT700HR

Serbaguna dan resolusi tinggi

Sistem: JSM-IT800HL/SHL

Resolusi tinggi

 Sistem: JSM-IT800i/is

UHD;Pengesan Hibrid Atas

UHD, pengesan baharu yang digabungkan dalam kanta objektif versi SHL sangat cekap dalam pengesanan elektron yang timbul daripada spesimen, membolehkan pemerolehan imej dengan nisbah S/N yang dipertingkatkan.

UHD(Pengesan Hibrid Atas)

Contoh pemerhatian SHL

Spesimen: Zarah Aluminium Oksida

Voltan pecutan: 0.5 kV, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UHD
Struktur langkah yang menakjubkan pada permukaan zarah dapat diperhatikan. Langkah-langkah nm tunggal diperhatikan dengan jelas pada permukaan zarah.
※ Diperolehi oleh versi SHL.

Spesimen: Aluminium Boehmite

Voltan pecutan: 0.3 kV, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UHD
Struktur nanosheet nipis dengan ketebalan kurang daripada 10 nm boleh diperhatikan dengan jelas pada permukaan aluminium boehmite.

  • Diperolehi oleh versi SHL.

Spesimen: Selulosa Nanofiber (CNF)

Voltan pecutan: 0.2 kV, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UHD+UED (penambahan isyarat)
Spesimen ihsan Profesor Hiroyuki Yano (Institut Penyelidikan untuk Kemanusiaan Lestari, Universiti Kyoto, Jepun)
Walaupun spesimen adalah gentian organik, pemerhatian juga boleh dilaksanakan dengan mengawal kerosakan rasuk pada gentian organik.

  • Diperolehi oleh versi SHL.

Spesimen: Keratan rentas cip IC (pasukan permukaan, salutan osmium)

Voltan pecutan: 5.0 kV (tanpa mod BD), Mod pemerhatian: SHL, Pengesan: UHD, UED (mod BSE)
Imej SE boleh diperoleh dengan menggunakan UHD; dan imej BSE boleh didapati dengan menggunakan UED.

Contoh pemerhatian HL

Spesimen: Pt nanopartikel pada karbon

Voltan pecutan: 20 kV, WD: 2 mm, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UED

Spesimen: Zeolit

Voltan pecutan: 1 kV, WD: 3 mm, Mod pemerhatian: STD, Pengesan: SED

Spesimen: Pita pengedap

Voltan pecutan: 0.5 kV, WD: 2 mm, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UED

Spesimen: Plumbum lampu elektrik

Voltan pecutan: 10 kV, WD: 6 mm, Mod pemerhatian: LV, Pengesan: LVBED

i contoh pemerhatian

Imej elektron sekunder (SE) zarah fotomangkin

Imej ini diperoleh menggunakan pengesan UED bagi JSM-IT800(i).
Spesimen ihsan Profesor Projek Kazunari Domen, Universiti Tokyo, Jepun.

Pemangkin foto ini mendedahkan kecekapan kuantum tindak balas pemisahan air hampir 100%. Imej SE peleraian tinggi dengan jelas menunjukkan bahawa zarah komangkin dengan saiz kurang daripada 10 nm lebih disukai didepositkan pada {100} aspek kristal zarah padu untuk menggalakkan tindak balas evolusi hidrogen dan oksigen.

Rujukan

T. Takata et. al., "Pemecahan air fotokatalitik dengan kecekapan kuantum hampir perpaduan," Alam , 581, 411-414, 2020.

Komponen SRAM Imej kontras komposisi / Imej kontras voltan / Imej kontras topografi

Keadaan pemerhatian: voltan pendaratan 1 kV, WD 8 mm, mod SIL dan isyarat diperolehi oleh pengesan UED, UID dan SED secara serentak

Pemerhatian penebat (tidak bersalut)
Spesimen: permukaan filem Al anodik oksida

Keadaan pemerhatian: voltan pendaratan 5 kV, WD 4.5 mm, mod LV (50 Pa), pengesan LVBED
Liang-nano pada permukaan boleh diperhatikan tanpa kesan pengecasan apabila menggunakan vakum rendah.

Pemerhatian in-situ bagi zarah yang tersebar dalam cecair Spesimen: CeO2 tersebar dalam air

Keadaan pemerhatian: voltan pendaratan 10 kV, WD 4.5 mm, mod LV (50 Pa), pengesan LVBED
Melampirkan cecair dalam pemegang in-situ Pandangan Aliran membolehkan pemerhatian zarah melalui tetingkap pemegang silikon nitrida.
Penyerakan zarah dalam cecair juga boleh diperhatikan. (Pemegang Flow View dihasilkan oleh FlowVIEW Tek)

Rujukan

N. Asano et. al., "Teknik Pemerhatian Terus Menggunakan Mikroskop Elektron Pengimbasan untuk Nanohablur dan Nanocluster Tersintesis Hidroterma." Bahan nano, 11, 908, 2021.

Pengesan Elektron Tersebar Belakang Baharu

Scintillator backscattered electron detector (SBED) mempunyai sensitiviti yang sangat baik dan berguna dalam mendapatkan imej kontras bahan pada voltan pecutan rendah. Pengesan elektron berselerak belakang serba boleh (VBED) membolehkan pemerolehan imej ciri seperti 3D dan topografi permukaan berdasarkan bentuk elemen pengesanan terbahagi.

SBED (Pengesan elektron terserak belakang Scintillator)

Penggunaan scintillator untuk pengesan telah meningkatkan kepekaan dan tindak balas pengesanan berbanding elemen semikonduktor.

Imej VBED (Pengesan Elektron Tersebar Belakang Serbaguna)

Elemen pengesan semikonduktor dibahagikan kepada 5 segmen, membolehkan untuk memilih isyarat yang sesuai untuk tujuan pemerhatian.

Pemilihan sudut

Spesimen: Scintillator, Voltan Pecutan: 3.0kV
Bergantung pada sudut pemerolehan elektron berselerak belakang, maklumat komposisi dipertingkatkan oleh segmen dalam, manakala maklumat topografi dipertingkatkan oleh segmen luar. Selain itu, membandingkan kontras badan pendarfluor di bawah filem pemendapan AI, maklumat berkaitan kedalaman yang berbeza boleh berpotensi disiasat.

Pembinaan semula 3D

Spesimen: Kanta mikro pada cip unsur CCD, Voltan Mempercepat: 7.0kV
Pembinaan semula imej 3D boleh dilakukan menggunakan imej 2D yang diperoleh daripada empat segmen.

pautan

  • Baru dilancarkan

spesifikasi

JSM-IT800 (HL) JSM-IT800 (adalah) JSM-IT800 (i) JSM-IT800 (SHL) JSM-IT800 (SHL)
Resolusi 0.7nm (20kV) 0.6nm (15kV) 0.5nm (15kV) 0.6nm (15kV) 0.5nm (15kV)
1.3nm (1kV) 1.0nm (1kV) 0.7nm (1kV) 1.1nm (1kV) 0.7nm (1kV)
0.9nm (500V)
3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8mm) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8mm) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm) 3.0nm (5kV, 5nA, WD 10mm)
Pembesaran photo
pembesaran:
×10 hingga ×2,000,000
(128 × 96 mm)

Pembesaran paparan:
×27 hingga ×5,480,000
(1,280 × 960 piksel)
photo
pembesaran:
×25 hingga ×2,000,000 (128 × 96 mm)

Pembesaran paparan:
×69 hingga ×5,480,000 (1,280 × 960 piksel)
photo
pembesaran:
×25 hingga ×2,000,000 (128 × 96 mm)

Pembesaran paparan:
×69 hingga ×5,480,000 (1,280 × 960 piksel)
photo
pembesaran:
×10 hingga ×2,000,000
(128 × 96 mm)

Pembesaran paparan:
×27 hingga ×5,480,000
(1,280 × 960 piksel)
photo
pembesaran:
×10 hingga ×2,000,000
(128 × 96 mm)

Pembesaran paparan:
×27 hingga ×5,480,000
(1,280 × 960 piksel)
Voltan pendaratan 0.01 hingga 30 kV
Arus siasatan Beberapa pA hingga 300 nA (30 kV)
Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV)
Beberapa pA hingga 300 nA (30 kV)
Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV)
Beberapa pA hingga 500 nA (30 kV)
Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV)
Beberapa pA hingga 500 nA (30 kV)
Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV)
Beberapa pA hingga 500 nA (30 kV)
Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV)
Pengesan (standard) Pengesan elektron sekunder (SED)
Pengesan elektron atas (UED)
Pengesan elektron sekunder (SED)
Pengesan dalam kanta atas (UID)
Pengesan elektron sekunder (SED)
Pengesan dalam kanta atas (UID)
Pengesan elektron atas (UED)
Pengesan elektron sekunder (SED)
Pengesan hibrid atas (UHD)
Pengesan elektron sekunder (SED)
Pengesan hibrid atas (UHD)
Pistol elektron Pistol elektron pelepasan medan Schottky Plus dalam kanta
Pemancar
tempoh jaminan
3 tahun
Kanta kawalan sudut bukaan (ACL) Terbina dalam Terbina dalam Terbina dalam Terbina dalam Terbina dalam
Kanta objektif Kanta Hibrid Separuh dalam kanta Separuh dalam kanta Kanta super hibrid Kanta super hibrid
Tahap spesimen Peringkat goniometer eusentrik penuh Peringkat goniometer eusentrik penuh Peringkat goniometer eusentrik penuh Peringkat goniometer eusentrik penuh Peringkat goniometer eusentrik penuh
Kawalan pentas Pemacu motor 5 paksi Pemacu motor 5 paksi Pemacu motor 5 paksi Pemacu motor 5 paksi Pemacu motor 5 paksi
Ukuran spesimen
(menarik keluar)
Jenis1 (standard) 
Diameter maksimum: 170 mm, Ketinggian maksimum: 45 mm (WD 5 mm)
Julat pergerakan peringkat (X:70mm Y:50mm Z:1 hingga 41mm Senget: -5 hingga 70° Putaran: 360°)

Jenis2 (pilihan)
Diameter maksimum: 200 mm, Ketinggian maksimum: 55 mm (WD 5 mm)
Julat pergerakan peringkat (X:100mm Y:100mm Z:1 hingga 50mm Senget: -5 hingga 70° Putaran: 360°)

Jenis3 (pilihan)
Diameter maksimum: 200 mm, Ketinggian maksimum: 45 mm (WD 5 mm)
Julat pergerakan peringkat (X:140mm Y:80mm Z:1 hingga 41mm Senget: -5 hingga 70° Putaran: 360°)
Mod vakum rendah
 (pilihan)
Boleh didapati
Fungsi analisis
 (pilihan)
EDS
wds
EBSD
CL
EDS
wds
EBSD
CL
EDS
wds
EBSD
CL
EDS
wds
EBSD
CL
EDS
wds
EBSD
CL
Aplikasi utama (contoh) Bahan magnet
EBSD kawasan luas
Analisis peranti semikonduktor Bahan magnet, EBSD, Spesimen biologi
(Tmografi tatasusunan, CLEM)

Sistem Pertukaran Spesimen

Pemerolehan imej optik menyokong kedua-dua sistem pertukaran spesimen

Sistem pengeluaran sesuai untuk pertukaran spesimen besar

  • Dengan sistem pengeluaran

  • Maks. saiz spesimen: diameter 170 mm

  • Pemindahan vakum: 3 hingga 5 minit

  • Kawasan imej optik: 120 mm × 120 mm

Ruang pertukaran spesimen membolehkan pemuatan/pemunggahan spesimen yang cepat dan bersih

  • Dengan ruang pra-pemindahan

  • Maks. saiz spesimen: diameter 100 mm

  • Pemindahan vakum: 60 saat atau kurang

  • Kawasan imej optik: 70 mm × 70 mm

  • Masa pemindahan dan pengudaraan berubah bergantung pada spesimen atau persekitaran pemasangan.

  • Sistem navigasi peringkat pilihan (SNS) diperlukan untuk penggunaan imej optik.

  • Ruang pertukaran spesimen adalah pilihan.

Butiran pengesan DrySD™

Kawasan pengesanan 60 mm2
Resolusi tenaga 133 eV atau kurang
Elemen yang boleh dikesan Jadilah kepada U
Fungsi pengurusan data & pembuatan laporan Makmal SMILE VIEW™

Pilihan Utama

  • Pengesan elektron atas (UED) *SHL, SHL, adalah

  • Pengesan elektron sekunder atas (USD) *HL

  • Pengesan elektron atas (UED) *adalah

  • Penukar elektron atas (UEC) *adalah

  • Pengesan elektron berselerak belakang (BED)

  • Scintillator pengesan elektron tersebar belakang (SBED)

  • Pengesan elektron berselerak belakang serba boleh (VBED) *HL, SHL, SHL

  • Pengesan elektron penghantaran (TED)

  • Vakum rendah (termasuk Pengesan elektron terserak belakang vakum rendah (LVBED))

  • Pengesan elektron sekunder vakum rendah (LVSED)

  • Sistem pembelauan serakan belakang elektron (EBSD)

  • Spektrometer sinar-X (WDS) penyebaran panjang gelombang

  • Spektrometer pelepasan sinar-X lembut (SXES) *HL, SHL, SHL

  • Pengesan arus siasatan

  • Ruang pertukaran spesimen

  • Sistem navigasi pentas

  • Kamera bilik

  • Meja operasi

  • Panel operasi

  • Bola trek

  • SMILENAVI

  • Montaj

  • Peta LIVE

  • Penapis AI LIVE

  • SMILE VIEW™ Peta

Muat turun Katalog

Kesesuaian

Permohonan JSM-IT800

Produk Berkaitan

Maklumat lanjut

Asas Sains

Penerangan mudah tentang mekanisme dan
aplikasi produk JEOL

Tutup
Notis

Adakah anda seorang profesional perubatan atau kakitangan yang terlibat dalam penjagaan perubatan?

Ya

Tidak

Sila diingatkan bahawa halaman ini tidak bertujuan untuk memberikan maklumat tentang produk kepada orang ramai.

Hubungi

JEOL menyediakan pelbagai perkhidmatan sokongan untuk memastikan pelanggan boleh menggunakan produk dan perkhidmatan kami dengan puashati.
Sila hubungi kami.