JSM-IT800
Pelepasan Lapangan Schottky
Mikroskop Elektron Mengimbas

Ciri-ciri
JSM-IT800 menggabungkan "Senapang elektron pelepasan medan Schottky Plus dalam kanta" kami untuk pengimejan resolusi tinggi kepada pemetaan unsur pantas, dan sistem kawalan optik elektron inovatif "Neo Engine", serta sistem GUI lancar "SEM Center" untuk pemetaan unsur pantas dengan spektrometer sinar-X (EDS) penyebaran tenaga JEOL terbenam sepenuhnya, sebagai platform biasa.
JSM-IT800 membenarkan penggantian kanta objektif SEM sebagai modul, menawarkan versi berbeza untuk memenuhi pelbagai keperluan pengguna. Dengan JSM-IT800, lima versi tersedia dengan kanta objektif yang berbeza: versi kanta hibrid (HL), yang merupakan FE-SEM tujuan umum; versi kanta super hibrid (SHL/SHL, dua versi dengan fungsi berbeza), yang membolehkan pemerhatian dan analisis resolusi lebih tinggi; dan versi separa dalam kanta yang baru dibangunkan (i/is, dua versi dengan fungsi berbeza), yang sesuai untuk pemerhatian peranti semikonduktor.
Tambahan pula, JSM-IT800 juga boleh dilengkapi dengan Pengesan Elektron Tersebar Balik Scintillator (SBED) dan Pengesan Elektron Tersebar Belakang Serbaguna (VBED). SBED membolehkan pemerolehan imej dengan responsif tinggi dan menghasilkan kontras bahan yang tajam walaupun pada voltan pecutan rendah, manakala VBED boleh membantu mendapatkan imej kontras 3D, topografi dan bahan. Oleh itu, JSM-IT800 boleh membantu pengguna mendapatkan maklumat yang tidak diperolehi dan menyelesaikan masalah dalam pengukuran.
Pistol Pilihan Raya Pelepasan Lapangan Schottky Plus Dalam Lensa (FEG)
In-Lens Schottky Plus bersepadu dan kanta pemeluwap penyimpangan rendah mencapai kecerahan pancaran tinggi. Arus probe yang mencukupi (100nA@5kV) tersedia walaupun pada voltan pecutan rendah. Ini membolehkan pengguna melakukan pemerhatian resolusi tinggi, pemetaan unsur berkelajuan tinggi, analisis EBSD dan analisis sinar-X Lembut dengan pelarasan minimum parameter SEM.

Enjin Neo (Enjin Optik Elektron Baharu)
Sistem kawalan optik elektron generasi nex, karya agung teknologi optik elektron JEOL telah digabungkan. Pemerhatian yang stabil boleh dilakukan semasa melaraskan pelbagai parameter mikroskop. Tambahan pula, sistem ini menampilkan fungsi auto yang dipertingkatkan untuk kemudahan penggunaan tambahan.
AFS・ACB

Sebelum pelarasan fokus automatik

Selepas pelarasan fokus automatik
Spesimen: Sn zarah pada karbon
Voltan pecutan: 15 kV, WD: 2mm, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UED, Pembesaran: x200,000
SEM Center・EDS integrasi
Penyepaduan penuh mikroskop GUI "SEM Center" dan JEOL EDS telah menghasilkan penggunaan SEM generasi akan datang. Selain itu, JSM-IT800 menggabungkan Smile Navi (pilihan) yang boleh membantu pemula dengan cara mengendalikan penapis SEM, LIVE-AI (kecerdasan buatan) Live-AI (Penambah Visual Imej Langsung-AI:LIVE-AI)(pilihan) menyediakan tontonan imej langsung yang mudah, dan Makmal SMILE VIEW™ untuk penjanaan laporan yang pantas.

Makmal SMILE VIEW™

SMILENAVI *Pilihan
SMILENAVI ialah alat pembantu yang direka untuk pemula untuk membolehkan operasi asas SEM yang lancar. Apabila pengendali mengklik pada butang yang sesuai seperti yang ditunjukkan oleh carta alir SMILENAVI, GUI SEM dipautkan kepada operasi klik untuk panduan pengendali. Memandangkan GUI memaparkan langkah operasi dan lokasi butang, pengendali akan dapat mengendalikan SEM tanpa menggunakan SMILENAVI.

Penapis LIVE-AI (Penambah Visual Imej Langsung-AI:LIVE-AI)
Menggunakan keupayaan AI (kecerdasan buatan), penapis LIVE-AI digabungkan untuk kualiti imej langsung yang lebih tinggi. Tidak seperti pemprosesan penyepaduan imej, penapis baharu ini boleh memaparkan imej langsung bergerak lancar tanpa imej baki. Ciri unik ini sangat berkesan untuk mencari kawasan cerapan, pemfokusan dan pelarasan stigmator dengan cepat.
Perbandingan imej langsung


Versi Kanta Hibrid (HL;Kanta Hibrid) /
Versi Kanta Super Hibrid (SHL;Kanta Hibrid Super) /
Versi Semi-In-Lens
Siri JSM-IT800 menawarkan pilihan kanta objektif yang sesuai dengan tujuan pengguna.
Versi HL dan versi SHL (termasuk versi SHL) dilengkapi dengan kanta objektif superposisi medan elektromagnet/elektrostatik yang dibangunkan daripada kanta luar serba boleh.
Pemerhatian resolusi tinggi dan analisis pelbagai jenis spesimen daripada logam kepada bahan nano adalah mungkin. Ia amat berguna untuk pemerhatian bahan magnetik dan analisis seperti pengukuran EBSD.
Versi i dan versi is dilengkapi dengan kanta separa dalam. Ia adalah optimum untuk pemerhatian resolusi tinggi dan analisis sampel condong dan keratan rentas, yang diperlukan untuk analisis kegagalan peranti semikonduktor.
Selain itu, ia berguna untuk pemerhatian kontras yang berpotensi menggunakan pengesan kanta dalam atas (UID).

Jenis kanta luar | Kanta objektif superposisi medan elektromagnet/elektrostatik | Separuh Dalam-Kanta |
Keserbagunaan tinggi Sistem: JSM-IT700HR |
Serbaguna dan resolusi tinggi Sistem: JSM-IT800HL/SHL |
Resolusi tinggi Sistem: JSM-IT800i/is |
UHD;Pengesan Hibrid Atas
UHD, pengesan baharu yang digabungkan dalam kanta objektif versi SHL sangat cekap dalam pengesanan elektron yang timbul daripada spesimen, membolehkan pemerolehan imej dengan nisbah S/N yang dipertingkatkan.
UHD(Pengesan Hibrid Atas)

Contoh pemerhatian SHL
Spesimen: Zarah Aluminium Oksida

Voltan pecutan: 0.5 kV, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UHD
Struktur langkah yang menakjubkan pada permukaan zarah dapat diperhatikan. Langkah-langkah nm tunggal diperhatikan dengan jelas pada permukaan zarah.
※ Diperolehi oleh versi SHL.
Spesimen: Aluminium Boehmite

Voltan pecutan: 0.3 kV, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UHD
Struktur nanosheet nipis dengan ketebalan kurang daripada 10 nm boleh diperhatikan dengan jelas pada permukaan aluminium boehmite.
Diperolehi oleh versi SHL.
Spesimen: Selulosa Nanofiber (CNF)

Voltan pecutan: 0.2 kV, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UHD+UED (penambahan isyarat)
Spesimen ihsan Profesor Hiroyuki Yano (Institut Penyelidikan untuk Kemanusiaan Lestari, Universiti Kyoto, Jepun)
Walaupun spesimen adalah gentian organik, pemerhatian juga boleh dilaksanakan dengan mengawal kerosakan rasuk pada gentian organik.
Diperolehi oleh versi SHL.
Spesimen: Keratan rentas cip IC (pasukan permukaan, salutan osmium)

Voltan pecutan: 5.0 kV (tanpa mod BD), Mod pemerhatian: SHL, Pengesan: UHD, UED (mod BSE)
Imej SE boleh diperoleh dengan menggunakan UHD; dan imej BSE boleh didapati dengan menggunakan UED.
Contoh pemerhatian HL
Spesimen: Pt nanopartikel pada karbon

Voltan pecutan: 20 kV, WD: 2 mm, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UED
Spesimen: Zeolit

Voltan pecutan: 1 kV, WD: 3 mm, Mod pemerhatian: STD, Pengesan: SED
Spesimen: Pita pengedap

Voltan pecutan: 0.5 kV, WD: 2 mm, Mod pemerhatian: BD, Pengesan: UED
Spesimen: Plumbum lampu elektrik

Voltan pecutan: 10 kV, WD: 6 mm, Mod pemerhatian: LV, Pengesan: LVBED
i contoh pemerhatian
Imej elektron sekunder (SE) zarah fotomangkin

Imej ini diperoleh menggunakan pengesan UED bagi JSM-IT800(i).
Spesimen ihsan Profesor Projek Kazunari Domen, Universiti Tokyo, Jepun.
Pemangkin foto ini mendedahkan kecekapan kuantum tindak balas pemisahan air hampir 100%. Imej SE peleraian tinggi dengan jelas menunjukkan bahawa zarah komangkin dengan saiz kurang daripada 10 nm lebih disukai didepositkan pada {100} aspek kristal zarah padu untuk menggalakkan tindak balas evolusi hidrogen dan oksigen.
Rujukan
T. Takata et. al., "Pemecahan air fotokatalitik dengan kecekapan kuantum hampir perpaduan," Alam , 581, 411-414, 2020.
Komponen SRAM Imej kontras komposisi / Imej kontras voltan / Imej kontras topografi

Keadaan pemerhatian: voltan pendaratan 1 kV, WD 8 mm, mod SIL dan isyarat diperolehi oleh pengesan UED, UID dan SED secara serentak
Pemerhatian penebat (tidak bersalut)
Spesimen: permukaan filem Al anodik oksida

Keadaan pemerhatian: voltan pendaratan 5 kV, WD 4.5 mm, mod LV (50 Pa), pengesan LVBED
Liang-nano pada permukaan boleh diperhatikan tanpa kesan pengecasan apabila menggunakan vakum rendah.
Pemerhatian in-situ bagi zarah yang tersebar dalam cecair Spesimen: CeO2 tersebar dalam air

Keadaan pemerhatian: voltan pendaratan 10 kV, WD 4.5 mm, mod LV (50 Pa), pengesan LVBED
Melampirkan cecair dalam pemegang in-situ Pandangan Aliran membolehkan pemerhatian zarah melalui tetingkap pemegang silikon nitrida.
Penyerakan zarah dalam cecair juga boleh diperhatikan. (Pemegang Flow View dihasilkan oleh FlowVIEW Tek)
Rujukan
N. Asano et. al., "Teknik Pemerhatian Terus Menggunakan Mikroskop Elektron Pengimbasan untuk Nanohablur dan Nanocluster Tersintesis Hidroterma." Bahan nano, 11, 908, 2021.
Pengesan Elektron Tersebar Belakang Baharu
Scintillator backscattered electron detector (SBED) mempunyai sensitiviti yang sangat baik dan berguna dalam mendapatkan imej kontras bahan pada voltan pecutan rendah. Pengesan elektron berselerak belakang serba boleh (VBED) membolehkan pemerolehan imej ciri seperti 3D dan topografi permukaan berdasarkan bentuk elemen pengesanan terbahagi.
SBED (Pengesan elektron terserak belakang Scintillator)
Penggunaan scintillator untuk pengesan telah meningkatkan kepekaan dan tindak balas pengesanan berbanding elemen semikonduktor.

Spesimen: bahagian ultra-nipis otak kecil tikus (kontras songsang)Voltan Pecutan: 2.0kV

Spesimen: toner, Voltan Pecutan: 1.5kV

Spesimen: plat kuprum (pemerhatian peralihan), Voltan Pecutan: 25kV
Imej VBED (Pengesan Elektron Tersebar Belakang Serbaguna)
Elemen pengesan semikonduktor dibahagikan kepada 5 segmen, membolehkan untuk memilih isyarat yang sesuai untuk tujuan pemerhatian.
Pemilihan sudut

Spesimen: Scintillator, Voltan Pecutan: 3.0kV
Bergantung pada sudut pemerolehan elektron berselerak belakang, maklumat komposisi dipertingkatkan oleh segmen dalam, manakala maklumat topografi dipertingkatkan oleh segmen luar. Selain itu, membandingkan kontras badan pendarfluor di bawah filem pemendapan AI, maklumat berkaitan kedalaman yang berbeza boleh berpotensi disiasat.
Pembinaan semula 3D

Spesimen: Kanta mikro pada cip unsur CCD, Voltan Mempercepat: 7.0kV
Pembinaan semula imej 3D boleh dilakukan menggunakan imej 2D yang diperoleh daripada empat segmen.
pautan
Baru dilancarkan
spesifikasi
JSM-IT800 (HL) | JSM-IT800 (adalah) | JSM-IT800 (i) | JSM-IT800 (SHL) | JSM-IT800 (SHL) | |
---|---|---|---|---|---|
Resolusi | 0.7nm (20kV) | 0.6nm (15kV) | 0.5nm (15kV) | 0.6nm (15kV) | 0.5nm (15kV) |
1.3nm (1kV) | 1.0nm (1kV) | 0.7nm (1kV) | 1.1nm (1kV) | 0.7nm (1kV) | |
0.9nm (500V) | |||||
3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm) | 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8mm) | 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8mm) | 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm) | 3.0nm (5kV, 5nA, WD 10mm) | |
Pembesaran | photo pembesaran: ×10 hingga ×2,000,000 (128 × 96 mm) Pembesaran paparan: ×27 hingga ×5,480,000 (1,280 × 960 piksel) |
photo pembesaran: ×25 hingga ×2,000,000 (128 × 96 mm) Pembesaran paparan: ×69 hingga ×5,480,000 (1,280 × 960 piksel) |
photo pembesaran: ×25 hingga ×2,000,000 (128 × 96 mm) Pembesaran paparan: ×69 hingga ×5,480,000 (1,280 × 960 piksel) |
photo pembesaran: ×10 hingga ×2,000,000 (128 × 96 mm) Pembesaran paparan: ×27 hingga ×5,480,000 (1,280 × 960 piksel) |
photo pembesaran: ×10 hingga ×2,000,000 (128 × 96 mm) Pembesaran paparan: ×27 hingga ×5,480,000 (1,280 × 960 piksel) |
Voltan pendaratan | 0.01 hingga 30 kV | ||||
Arus siasatan | Beberapa pA hingga 300 nA (30 kV) Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV) |
Beberapa pA hingga 300 nA (30 kV) Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV) |
Beberapa pA hingga 500 nA (30 kV) Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV) |
Beberapa pA hingga 500 nA (30 kV) Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV) |
Beberapa pA hingga 500 nA (30 kV) Beberapa pA hingga 100 nA (5 kV) |
Pengesan (standard) | Pengesan elektron sekunder (SED) Pengesan elektron atas (UED) |
Pengesan elektron sekunder (SED) Pengesan dalam kanta atas (UID) |
Pengesan elektron sekunder (SED) Pengesan dalam kanta atas (UID) Pengesan elektron atas (UED) |
Pengesan elektron sekunder (SED) Pengesan hibrid atas (UHD) |
Pengesan elektron sekunder (SED) Pengesan hibrid atas (UHD) |
Pistol elektron | Pistol elektron pelepasan medan Schottky Plus dalam kanta | ||||
Pemancar tempoh jaminan |
3 tahun | ||||
Kanta kawalan sudut bukaan (ACL) | Terbina dalam | Terbina dalam | Terbina dalam | Terbina dalam | Terbina dalam |
Kanta objektif | Kanta Hibrid | Separuh dalam kanta | Separuh dalam kanta | Kanta super hibrid | Kanta super hibrid |
Tahap spesimen | Peringkat goniometer eusentrik penuh | Peringkat goniometer eusentrik penuh | Peringkat goniometer eusentrik penuh | Peringkat goniometer eusentrik penuh | Peringkat goniometer eusentrik penuh |
Kawalan pentas | Pemacu motor 5 paksi | Pemacu motor 5 paksi | Pemacu motor 5 paksi | Pemacu motor 5 paksi | Pemacu motor 5 paksi |
Ukuran spesimen (menarik keluar) |
Jenis1 (standard) Diameter maksimum: 170 mm, Ketinggian maksimum: 45 mm (WD 5 mm) Julat pergerakan peringkat (X:70mm Y:50mm Z:1 hingga 41mm Senget: -5 hingga 70° Putaran: 360°) Jenis2 (pilihan) Diameter maksimum: 200 mm, Ketinggian maksimum: 55 mm (WD 5 mm) Julat pergerakan peringkat (X:100mm Y:100mm Z:1 hingga 50mm Senget: -5 hingga 70° Putaran: 360°) Jenis3 (pilihan) Diameter maksimum: 200 mm, Ketinggian maksimum: 45 mm (WD 5 mm) Julat pergerakan peringkat (X:140mm Y:80mm Z:1 hingga 41mm Senget: -5 hingga 70° Putaran: 360°) |
||||
Mod vakum rendah (pilihan) |
Boleh didapati | ||||
Fungsi analisis (pilihan) |
EDS wds EBSD CL |
EDS wds EBSD CL |
EDS wds EBSD CL |
EDS wds EBSD CL |
EDS wds EBSD CL |
Aplikasi utama (contoh) | Bahan magnet EBSD kawasan luas |
Analisis peranti semikonduktor | Bahan magnet, EBSD, Spesimen biologi (Tmografi tatasusunan, CLEM) |
Sistem Pertukaran Spesimen
Pemerolehan imej optik menyokong kedua-dua sistem pertukaran spesimen
Sistem pengeluaran sesuai untuk pertukaran spesimen besar

Dengan sistem pengeluaran
Maks. saiz spesimen: diameter 170 mm
Pemindahan vakum: 3 hingga 5 minit
Kawasan imej optik: 120 mm × 120 mm
Ruang pertukaran spesimen membolehkan pemuatan/pemunggahan spesimen yang cepat dan bersih

Dengan ruang pra-pemindahan
Maks. saiz spesimen: diameter 100 mm
Pemindahan vakum: 60 saat atau kurang
Kawasan imej optik: 70 mm × 70 mm
Masa pemindahan dan pengudaraan berubah bergantung pada spesimen atau persekitaran pemasangan.
Sistem navigasi peringkat pilihan (SNS) diperlukan untuk penggunaan imej optik.
Ruang pertukaran spesimen adalah pilihan.
Butiran pengesan DrySD™
Kawasan pengesanan | 60 mm2 |
---|---|
Resolusi tenaga | 133 eV atau kurang |
Elemen yang boleh dikesan | Jadilah kepada U |
Fungsi pengurusan data & pembuatan laporan | Makmal SMILE VIEW™ |
Pilihan Utama
Pengesan elektron atas (UED) *SHL, SHL, adalah
Pengesan elektron sekunder atas (USD) *HL
Pengesan elektron atas (UED) *adalah
Penukar elektron atas (UEC) *adalah
Pengesan elektron berselerak belakang (BED)
Scintillator pengesan elektron tersebar belakang (SBED)
Pengesan elektron berselerak belakang serba boleh (VBED) *HL, SHL, SHL
Pengesan elektron penghantaran (TED)
Vakum rendah (termasuk Pengesan elektron terserak belakang vakum rendah (LVBED))
Pengesan elektron sekunder vakum rendah (LVSED)
Sistem pembelauan serakan belakang elektron (EBSD)
Spektrometer sinar-X (WDS) penyebaran panjang gelombang
Spektrometer pelepasan sinar-X lembut (SXES) *HL, SHL, SHL
Pengesan arus siasatan
Ruang pertukaran spesimen
Sistem navigasi pentas
Kamera bilik
Meja operasi
Panel operasi
Bola trek
SMILENAVI
Montaj
Peta LIVE
Penapis AI LIVE
SMILE VIEW™ Peta
Muat turun Katalog
Mikroskop Elektron Pengimbasan Pancaran Medan Schottky JSM-IT800
Kesesuaian
Permohonan JSM-IT800
Produk Berkaitan
Produk Berkaitan

IB-19520CCP CROSS SECTION POLISHER™
Kerosakan terma boleh dikurangkan dengan menyejukkan spesimen dengan nitrogen cecair semasa pemprosesan. Direka untuk menyekat penggunaan nitrogen cecair, membenarkan tempoh penyejukan yang lama. Penyejukan pantas spesimen semasa direndam dalam nitrogen cecair. Kembali ke suhu bilik. Direka bentuk untuk membolehkan bahagian ditanggalkan. Menggabungkan mekanisme untuk membolehkan proses daripada penggilapan kepada pemerhatian dilakukan tanpa mendedahkan sampel ke udara.

IB-19530CP CROSS SECTION POLISHER™
IB-19530CP menampilkan peringkat pelbagai guna yang direka secara inovatif untuk memenuhi keperluan pasaran yang semakin pelbagai dan merealisasikan pelbagai fungsi oleh pelbagai jenis pemegang fungsi. Peringkat pelbagai guna digabungkan dengan pemegang fungsi khusus membolehkan pengguna melaksanakan pelbagai fungsi seperti pengilangan dan penggilap permukaan planar, salutan sputter serta pengilangan ion keratan rentas yang lebih tradisional.

Gather-X JED Series Dry SD™ EDS Tanpa Tingkap
Terokai Sains dengan Analisis JSM-IT800/Windowless EDS
Analisis EDS tanpa tekanan daripada unsur ringan hingga berat! Didorong oleh neutraliti karbon, pembangunan bahan menjadi lebih penting.
Sebagai contoh, dalam bahan bateri, pelbagai analisis diperlukan daripada unsur cahaya seperti Li kepada logam peralihan termasuk Ni, Co, dan Mn.
Keperluan untuk analisis yang cekap dan sangat sensitif semakin meningkat dalam analisis bahan semikonduktor dan nanopartikel pemangkin.
Dry SD™ Gather-X yang baru dibangunkan ialah EDS jenis Tanpa Tingkap yang boleh dipasang pada JSM-IT800*. Analisis sinar-X sensitiviti tinggi boleh dilakukan dalam semua jalur tenaga termasuk sinar-X ciri tenaga rendah seperti Li-K (54eV). Selain itu, fungsi keselamatan yang disambungkan dengan JSM-IT800 dan perisian penyepaduan SEM/EDS boleh memberikan kebolehkendalian yang selamat dan selesa kepada sesiapa sahaja.
*Boleh dipasang pada JSM-IT800 / .

Spektrometer Pancaran X-ray lembut (SXES)
Spektrometer Pancaran X-Ray Lembut (SXES) ialah spektrometer resolusi ultra tinggi yang terdiri daripada kisi pembelauan yang baru dibangunkan dan kamera CCD X-ray dengan kepekaan tinggi.
Dengan cara yang sama seperti EDS, pengesanan selari adalah mungkin, dan analisis resolusi tenaga ultra tinggi 0.3 eV (Fermi-edge, Al-L standard) boleh dilakukan, mengatasi resolusi tenaga WDS.
Maklumat lanjut


Adakah anda seorang profesional perubatan atau kakitangan yang terlibat dalam penjagaan perubatan?
Tidak
Sila diingatkan bahawa halaman ini tidak bertujuan untuk memberikan maklumat tentang produk kepada orang ramai.