Siri Kumpul-X JED
DrySD™ EDS Tanpa Tingkap
Terokai Sains dengan Analisis JSM-IT800/EDS Tanpa Window
Analisis EDS tanpa tekanan daripada unsur ringan hingga berat!
Didorong oleh neutraliti karbon, pembangunan bahan menjadi lebih penting.
Sebagai contoh, dalam bahan bateri, pelbagai analisis diperlukan daripada unsur cahaya seperti Li kepada logam peralihan termasuk Ni, Co, dan Mn.
Keperluan untuk analisis yang cekap dan sangat sensitif semakin meningkat dalam analisis bahan semikonduktor dan nanopartikel pemangkin.
DrySD™ Gather-X yang baru dibangunkan ialah EDS jenis Tanpa Tingkap yang boleh dipasang pada JSM-IT800*. Analisis sinar-X sensitiviti tinggi boleh dilakukan dalam semua jalur tenaga termasuk sinar-X ciri tenaga rendah seperti Li-K (54eV). Selain itu, fungsi keselamatan yang disambungkan dengan JSM-IT800 dan perisian penyepaduan SEM/EDS boleh memberikan kebolehkendalian yang selamat dan selesa kepada sesiapa sahaja.
Ciri-ciri
Analisis sensitiviti tinggi untuk semua kawasan tenaga
Pengesanan ciri sinar-X kurang daripada 100 eV (kawasan sinar-X lembut)
EDS tanpa tingkap memungkinkan untuk meningkatkan kepekaan pengesanan untuk ciri-ciri sinar-X kurang daripada 1 keV, dan juga untuk mengesan kawasan sinar-X lembut kurang daripada 100 eV (Li-K, dsb.).
Contoh analisis bahan anod untuk bateri litium-ion keadaan pepejal
Spesimen: Anod Si untuk semua bateri litium-ion keadaan pepejal
Keadaan analisis: Voltan pecutan 3 kV, WD 7 mm,
Arus siasatan 0.6 nA, Masa pengukuran 15 min.
SEM: JSM-IT800 ＜SHL＞
Ihsan spesimen:
Profesor Atsunori Matsuda
Jabatan Kejuruteraan Maklumat Elektrik dan Elektronik,
Toyohashi Univ. daripada Teknologi
Peta EDS litium (Li-K: 54 eV) dan silikon (Si-L: 90 eV). Oleh kerana dua puncak spektrum dengan tenaga sinar-X mereka berdekatan antara satu sama lain, dipisahkan dan dipetakan, peta mendedahkan taburan litium dan silikon pada anod silikon.
Keupayaan tinggi untuk mengesan sinar-X kurang daripada 100 eV ialah ciri terbesar EDS Tanpa Tingkap.
Sudut pepejal besar
Sudut pepejal yang besar membolehkan analisis EDS dengan kadar kiraan yang tinggi. Kelebihan ini membawa kepada masa pengukuran yang sangat dipendekkan dan kerosakan rasuk elektron yang sangat ditekan pada spesimen.
Contoh analisis bahan katod untuk bateri lithium-ion
Spesimen: Bahan katod untuk bateri litium-ion
Keadaan analisis: Voltan pecutan 1.5 kV, (bias kepada spesimen: –5 kV),
WD 7 mm, Arus probe 4.8 nA, Masa pengukuran 13 min.
SEM: JSM-IT800 ＜SHL＞
Peta EDS bahan aktif mangan (Mn), kobalt (Co), nikel (Ni) dan oksigen (O), pembantu pengalir elektron karbon (C), dan pengikat fluorin (F).
Bahan-bahan ini sensitif kepada kerosakan rasuk elektron dan pengikat diedarkan pada permukaan spesimen. Peta EDS dilakukan pada voltan pecutan rendah (1.5 kV).
Berbanding dengan EDS standard (DrySD™ 100 mm2), kiraan sinar-X lebih tinggi dalam EDS Tanpa Tingkap, sekali gus meningkatkan ketepatan pemisahan puncak. Kiraan yang tinggi membolehkan kami memperoleh pengedaran fluorin yang lebih jelas dan tepat.
Penderia sinar-X berbentuk trek perlumbaan menjadikan pengesan lebih dekat dengan spesimen, mencapai sudut pepejal yang besar.
Analisis pada voltan pecutan tinggi
Sistem Perangkap Elektron, yang menghalang elektron berselerak belakang daripada spesimen memasuki penderia sinar-X, membolehkan analisis kualitatif dan kuantitatif walaupun pada voltan tinggi 30 kV.
Contoh analisis STEM / EDS untuk semikonduktor
Analisis STEM / EDS bagi bahan semikonduktor pada voltan pecutan 30 kV.
Memandangkan elektron berselerak belakang terperangkap, peningkatan latar belakang ditindas dan kerosakan pada sensor sinar-X dapat dielakkan.
Spesimen: Lamela giling FIB bagi semikonduktor kuasa SiC
Keadaan analisis: Voltan pecutan 30 kV, WD 8 mm,
Arus siasatan 4.1 nA, Masa pengukuran 5 min.
SEM: JSM-IT800 ＜SHL＞* 1
Pengesan STEM Deben digunakan.
Perisian analisis fasa EDS adalah pilihan.
●Peta fasa EDS
Perisian analisis fasa EDS* 2 membolehkan untuk mengenal pasti fasa masing-masing dalam spesimen, yang membezakan sebatian pelbagai unsur (tidak terhad kepada unsur demi unsur).
Peta resolusi spatial tinggi
Analisis mod WD / BD pendek
Analisis kualitatif pada WD yang lebih pendek daripada WD standard (7 mm), bersama-sama dengan penggunaan gabungan mod BD yang menggunakan voltan pincang pada peringkat spesimen, membolehkan pemerolehan peta EDS resolusi spatial tinggi pada voltan pecutan rendah.
Contoh analisis pemangkin (nopartikel)
Peta EDS nanopartikel perak (Ag) (saiz 18 nm) pada titanium oksida, diperhatikan pada ×200,000.
Peta EDS resolusi spatial tinggi berkesan untuk analisis zarah halus, seperti zarah mangkin.
Spesimen: Nanopartikel Ag pada titanium oksida
Keadaan analisis: Voltan pecutan 5 kV, (bias kepada spesimen: –5 kV),
WD 4 mm, Arus probe 1 nA, Masa pengukuran 9 min.
SEM: JSM-IT800 ＜SHL＞
Warna krim: Ag-L Warna ungu: OK + Ti-L
Ciri ini menunjukkan kuasa maksimum JSM-IT800 untuk analisis SEM / EDS yang sangat baik.
Kebolehkendalian yang tinggi
integrasi EDS
Anda boleh mengendalikan EDS Tanpa Tingkap dengan perisian kawalan SEM (SEM Center) untuk JSM-IT800. Operasi lancar daripada pemerhatian SEM kepada analisis EDS dengan Gather-X boleh dilakukan.
Analisis EDS (titik, kawasan, MAP, garis) pada skrin monitor SEM Center boleh dilaksanakan.
Fungsi saringan juga luas, termasuk Analisis Langsung dan PETA Langsung.
Sistem keselamatan yang dikaitkan dengan JSM-IT800
JEOL, sebagai pengeluar mikroskop elektron yang melaksanakan teknologi sistem keselamatan, menyediakan operasi yang selamat melalui hubungan keselamatan dengan JSM-IT800 dan Gather-X.
Sistem perlindungan sensor sinar-X
Sistem keselamatan menghalang kerosakan pada penderia sinar-X yang disejukkan, disebabkan oleh pendedahan penderia sinar-X kepada udara.
Apabila sensor sinar-X sedang disejukkan, paras vakum ruang spesimen SEM dihadkan.
Sistem pencegahan perlanggaran dengan peringkat SEM
Sistem ini menghalang perlanggaran pengesan dengan pelbagai pemegang pada kedudukan sisipan. Pergerakan peringkat adalah terhad bergantung pada saiz pemegang spesimen. Oleh itu, analisis selamat disediakan.
Sistem pencegahan perlanggaran untuk pelbagai lampiran pilihan
Sistem ini menghalang perlanggaran pengesan dengan pelbagai pilihan yang dilampirkan pada JSM-IT800. Jika lampiran pilihan terletak pada kedudukan di mana ia boleh berlanggar dengan pengesan yang dimasukkan, kedudukan sisipan Gather-X dihadkan secara automatik.
Apabila Gather-X tidak akan berlanggar dengan lampiran yang dimasukkan,
analisis boleh dilakukan pada kedudukan sisipan Gather-X.
Untuk mengelakkan perlanggaran dengan lampiran yang dimasukkan,
kedudukan sisipan Gather-X adalah terhad.
spesifikasi
| Elemen yang boleh dikesan | Li kepada U |
|---|---|
| Resolusi tenaga | 129 eV atau kurang (Mn-Kα) 59 eV atau kurang (C-Kα) |
| Jenis penderia sinar-X | jenis SDD |
| Saiz penderia sinar-X | 100 mm2 |
| Voltan pendaratan | 30 kV atau kurang |
| Mod vakum | Mod vakum tinggi |
| Penyejukan sensor sinar-X | Penyejukan peltier |
| Sistem pemacu | Pemacu motor |
| Sistem keselamatan | Sistem perlindungan penderia sinar-X dikaitkan dengan vakum JSM-IT800 (Penderia sinar-X disejukkan hanya pada mod vakum tinggi) Sistem pencegahan perlanggaran dengan pentas dan pelbagai lampiran |
| Kawalan Kumpul-X | Dibina dalam perisian kawalan SEM |
| Model yang berkenaan | JSM-IT800＜HL＞, JSM-IT800＜SHL/SHLs＞ |
| Pemasangan keperluan |
Suhu bilik: 20±5 ℃ Kelembapan: 60% atau kurang (tiada pemeluwapan) |
| Pengesan berbilang | Boleh dikonfigurasikan dengan Standard EDS |
Muat turun Katalog
Gather-X JED Series DrySD™ EDS Tanpa Tingkap
Produk Berkaitan
Mikroskop Elektron Pengimbasan Pancaran Medan Schottky JSM-IT800
JSM-IT800 menggabungkan "Senapang elektron pelepasan medan Schottky Plus dalam kanta" kami untuk pengimejan resolusi tinggi kepada pemetaan unsur pantas, dan sistem kawalan optik elektron inovatif "Neo Engine", serta sistem GUI lancar "SEM Center" untuk pemetaan unsur pantas dengan spektrometer sinar-X (EDS) penyebaran tenaga JEOL terbenam sepenuhnya, sebagai platform biasa.
JSM-IT800 membenarkan penggantian kanta objektif SEM sebagai modul, menawarkan versi berbeza untuk memenuhi pelbagai keperluan pengguna. Dengan JSM-IT800, lima versi tersedia dengan kanta objektif yang berbeza: versi kanta hibrid (HL), yang merupakan FE-SEM tujuan umum; versi kanta super hibrid (SHL/SHL, dua versi dengan fungsi berbeza), yang membolehkan pemerhatian dan analisis resolusi lebih tinggi; dan versi separa dalam kanta yang baru dibangunkan (i/is, dua versi dengan fungsi berbeza), yang sesuai untuk pemerhatian peranti semikonduktor.
Tambahan pula, JSM-IT800 juga boleh dilengkapi dengan Pengesan Elektron Tersebar Balik Scintillator (SBED) dan Pengesan Elektron Tersebar Belakang Serbaguna (VBED). SBED membolehkan pemerolehan imej dengan responsif tinggi dan menghasilkan kontras bahan yang tajam walaupun pada voltan pecutan rendah, manakala VBED boleh membantu mendapatkan imej kontras 3D, topografi dan bahan. Oleh itu, JSM-IT800 boleh membantu pengguna mendapatkan maklumat yang tidak diperolehi dan menyelesaikan masalah dalam pengukuran.
Maklumat lanjut
Adakah anda seorang profesional perubatan atau kakitangan yang terlibat dalam penjagaan perubatan?
Tidak
Sila diingatkan bahawa halaman ini tidak bertujuan untuk memberikan maklumat tentang produk kepada orang ramai.