Tutup Btn

Pilih tapak Serantau Anda

Tutup

JSM-7800F Mikroskop Elektron Pengimbasan Pelepasan Medan Schottky

DISCONTINUED

JSM-7800F Mikroskop Elektron Pengimbasan Pelepasan Medan Schottky

Ciri-ciri

 

Kanta Super Hibrid (SHL) yang baru dibangunkan digunakan untuk mencapai SEM resolusi tinggi generasi seterusnya, tanpa mengorbankan kebolehkendalian. Penggunaan senapang elektron jenis Schottky memberikan analisis yang stabil dengan arus probe yang besar.

Pemerhatian resolusi tinggi menggunakan Super Hybrid Lens (SHL)

Kanta objektif ialah Kanta Hibrid Super (SHL), yang terdiri daripada medan magnet elektrostatik yang bertindih dengan medan elektrik elektrostatik. Mengurangkan penyimpangan kromatik dan sfera meningkatkan resolusi, terutamanya pada voltan pecutan rendah. SHL tidak memberikan pengaruh medan magnet pada spesimen, jadi pemerhatian bahan magnetik dan analisis EBSD boleh dilakukan tanpa kesukaran.

Pemilihan tenaga pada voltan pecutan rendah

Penapis tenaga dipasang terus di bawah pengesan elektron atas (UED), jadi pemilihan tenaga adalah mungkin. Elektron sekunder dan elektron berselerak belakang boleh dipilih dengan tepat, walaupun pada voltan pecutan rendah, membenarkan pemerhatian komposisi permukaan atas spesimen menggunakan imej elektron berselerak belakang pada voltan pecutan rendah.

Pengimejan permukaan atas menggunakan Gentle Beam

Dengan menggunakan voltan pincang pada spesimen (GB), kelajuan elektron kejadian dikurangkan dan kelajuan elektron yang dibebaskan meningkat. Ini membolehkan imej resolusi tinggi dengan nisbah isyarat-ke-bunyi yang baik diperolehi walaupun dengan tenaga pendedahan spesimen yang rendah. Jika mod GB digunakan, yang membolehkan voltan pincang yang lebih tinggi digunakan, pemerhatian resolusi lebih tinggi pun boleh dibuat walaupun pada tenaga pendedahan spesimen hanya beberapa puluh eV.

Pemerolehan semua maklumat menggunakan pelbagai pengesan

JSM-7800F menggabungkan 4 jenis pengesan, termasuk pengesan elektron atas (UED), pengesan elektron sekunder atas (USD), pengesan elektron terserak belakang (BED) dan pengesan elektron bawah (LED). Untuk UED, elektron sekunder dan dos elektron berselerak belakang boleh ditukar mengikut voltan penapis, membolehkan untuk memilih tenaga elektron. USD mengesan elektron tenaga rendah yang melantun dari penapis. Dengan BED, kontras penyaluran boleh diperhatikan dengan jelas dengan mengesan elektron berselerak belakang sudut rendah. LED membolehkan pemerolehan imej dengan rupa 3 dimensi, termasuk maklumat kekasaran permukaan daripada kesan pencahayaan.

Contoh aplikasi

Pemerhatian pada voltan pecutan rendah
Dengan kaedah Gentle Beam (GB), pemerhatian daripada tenaga pendedahan spesimen sebanyak 10 eV adalah mungkin. Permukaan kepingan graphene dengan ketebalan hanya satu atom boleh diperhatikan dengan tenaga pendedahan spesimen ditetapkan 80 eV.

Spesimen: Graphene ( tenaga pendedahan spesimen: 80eV)

 

Pemilihan tenaga
Dengan imej BE (kiri) dan imej SE (kanan) secara serentak diperolehi oleh UED dan USD, tafsiran imej yang tepat adalah mungkin. Pengasingan antara zarah emas dan TiO2, tidak jelas oleh imej SE yang kontras bergantung terutamanya pada topografi, menjadi jelas oleh imej BE, di mana zarah emas menjadi lebih cerah kerana nombor atom puratanya yang lebih tinggi.

imej BE
Spesimen: pemangkin TiO2 disokong emas (2kV)

imej SE

 

Pemerhatian menggunakan GBSH
Kaedah GBSH menggunakan voltan negatif pada spesimen. Dengan penyimpangan dikurangkan, imej resolusi tinggi dihasilkan. Pemerhatian yang jelas terhadap silika mesoporus direalisasikan.

Spesimen: Silika mesoporus (tenaga pendedahan spesimen: 1keV)

 

Pemerhatian bahan magnet
SHL tidak membentuk medan magnet di sekeliling spesimen. Oleh itu pemerhatian resolusi tinggi bahan magnetik, dan walaupun pada tenaga pendedahan spesimen yang rendah, boleh dilakukan tanpa kesukaran.

Spesimen: Zarah nano magnetit (tenaga pendedahan spesimen: 1keV)

 

EBSD boleh dilakukan dengan selesa, kerana SHL tidak memberikan pengaruh medan magnet pada spesimen. Peta IPF menghasilkan analisis orientasi kristal berketepatan tinggi.

Bilangan mata: 118585
dimensi:
X Maks: 80.00 mikron, Y Maks: 79.89 mikron
Langkah: 0.25 mikron
Fasa: Nd2Fe14B

Contoh corak EBSD

spesifikasi

Resolusi 0.8 nm(15 kV)
1.2 nm(1 kV)
3.0 nm (15kV, 5nA, WD10mm)
Pembesaran ×25 hingga ×1,000,000(SEM)
Mempercepatkan Voltan 0.1kV hingga 30kV
Arus siasatan Beberapa pA hingga 200nA
Lensa pengoptimuman sudut bukaan Terbina dalam
Pengesan Pengesan Elektron Atas(UED) 
Pengesan Elektron Bawah(LED)
Penapis tenaga Fungsi Perubahan Voltan Penapis UED terbina dalam
Rasuk Lembut Terbina dalam
Paparan imej Kawasan paparan imej 1,280 x 960 piksel, 800 x 600 piksel
Ruang pertukaran spesimen Standard
 Ruang Pertukaran Spesimen TYPE2A terdiri.
Tahap spesimen Peringkat pemacu motor 5 paksi
Peringkat goniometer eusentrik penuh
XY X:70mm, Y:50mm
Condongkan -5 hingga +70°
Putaran 360 °
WD 2mm untuk 25mm
Sistem pemindahan Dua SIP, TMP, RP
Reka bentuk Eco Semasa operasi biasa: 1.1 kVA
Semasa mod tidur : 0.8 kVA

Pilihan Utama

  • Spektrometer X-ray Penyerakan Tenaga (EDS)

  • Spektrometer X-ray Penyebaran Panjang Gelombang (WDS)

  • Sistem Belauan Hamparan Belakang Elektron (EBSD).

  • Pengesan Cathodoluminescence (CLD)

Kesesuaian

Permohonan JSM-7800F

Galeri

Produk Berkaitan

Maklumat lanjut

Asas Sains

Penerangan mudah tentang mekanisme dan
aplikasi produk JEOL

Tutup
Notis

Adakah anda seorang profesional perubatan atau kakitangan yang terlibat dalam penjagaan perubatan?

Ya

Tidak

Sila diingatkan bahawa halaman ini tidak bertujuan untuk memberikan maklumat tentang produk kepada orang ramai.

Hubungi

JEOL menyediakan pelbagai perkhidmatan sokongan untuk memastikan pelanggan boleh menggunakan produk dan perkhidmatan kami dengan puashati.
Sila hubungi kami.