JSM-7200F Mikroskop Elektron Pengimbasan Pelepasan Medan Schottky
DISCONTINUED
JSM-7200F mempunyai resolusi spatial yang jauh lebih tinggi daripada model konvensional pada kedua-dua voltan pecutan tinggi dan rendah dengan menggunakan teknologi yang digunakan untuk "In-Lens SchottkyPlus", optik elektron yang dilengkapi pada model perdana kami, JSM-7800FPRIME, dan dengan menggabungkan TTLS (Sistem Melalui-Kanta). Arus siasatan maksimum 300 nA juga dijamin kerana ciri-ciri yang disebutkan di atas. Oleh itu, JSM-7200F ialah FE-SEM pelbagai guna generasi akan datang yang mempunyai keupayaan pemerhatian resolusi tinggi, analisis daya pemprosesan tinggi, kemudahan penggunaan dan kebolehkembangan.
Ciri-ciri
Ciri utama JSM-7200F ialah optik elektron berasaskan teknologi "In-Lens SchottkyPlus", GB (mod Gentle Beam), TTLS (Through-The-Lens System) yang membolehkan pemerhatian resolusi tinggi pada voltan pecutan rendah dan mengawal jumlah isyarat tenaga rendah untuk dikesan oleh pengesan atas, dan kanta objektif hibrid yang menggabungkan kanta magnetik dan kanta elektrostatik.
Pistol Elektron Schottky Dalam Lensa
Senapang elektron Schottky Dalam Lensa (JEOL dipatenkan) telah dibangunkan dengan mengoptimumkan geometri senapang elektron dan kanta pemeluwap penyimpangan rendah. Dengan teknologi unik ini, elektron yang dipancarkan daripada senapang elektron boleh digunakan dengan cekap daripada yang konvensional, jadi lebih kecil diameter probe elektron walaupun dengan arus besar adalah mungkin. Oleh itu, JSM-7200F berkebolehan analisis daya pemprosesan tinggi (EDS, WDS, EBSD, dll.).
TTLS (sistem melalui kanta)
TTLS (sistem melalui kanta) ialah sistem yang membolehkan pemerhatian resolusi tinggi pada voltan pecutan rendah dan juga pemilihan isyarat berbeza yang dijana daripada spesimen dengan menggunakan GB (mod Gentle Beam).
Dengan menggunakan voltan pincang pada spesimen dengan GB (mod Gentle Beam), elektron kejadian diperlahankan dan elektron yang dipancarkan daripada spesimen dipercepatkan, jadi adalah mungkin untuk mempunyai imej resolusi tinggi dengan nisbah isyarat-ke-bunyi yang lebih baik walaupun pada rendah. voltan pecutan / voltan pendaratan.
Voltan penapisan penapis tenaga yang dilengkapi pada TTLS membolehkan anda mengawal jumlah elektron sekunder yang akan dikesan oleh pengesan atas. Oleh itu, imej permukaan atas spesimen yang dihasilkan hanya oleh elektron berselerak belakang sudut tinggi boleh diperhatikan pada voltan pecutan rendah dengan pengesan elektron atas (UED).
Elektron tenaga rendah, yang tidak dikesan dengan UED dan ditolak oleh voltan penapisan, boleh juga dikesan dengan pengesan elektron sekunder atas pilihan (USD). Oleh itu, JSM-7200F boleh mengesan kedua-dua imej elektron sekunder dan imej elektron berselerak belakang secara serentak.
Kanta Objektif Hibrid (gabungan kanta magnetik dan kanta elektrostatik)
JSM-7200F mengguna pakai kanta objektif yang direka bentuk baru yang dipanggil "kanta hibrid".
Kanta hibrid menggabungkan kanta magnetik dan kanta elektrostatik untuk mengurangkan penyimpangan, jadi adalah mungkin untuk memperoleh resolusi spatial yang lebih tinggi berbanding dengan kanta luar konvensional. JSM-7200F juga mengekalkan kebolehgunaan kanta luar konvensional, jadi tiada masalah untuk memerhati dan menganalisis sampel magnetik.
Aplikasi
Data diambil dengan menggunakan kanta hibrid dan GB (mod Gentle Beam)
Kanta hibrid penyimpangan rendah dan GB (mod Gentle Beam) membolehkan pemerhatian resolusi tinggi bahan penebat pada voltan pecutan yang sangat rendah.
Voltan pendaratan: 0.5 kV
Spesimen: Silika Mesoporus (Ihsan Profesor Shunai Che, Universiti Shanghai Jiao Tong, China)
Data diambil oleh pengesan elektron atas (UED) dengan penapis tenaga
Imej ini diambil oleh UED pada voltan pecutan rendah. Ini adalah imej elektron berselerak belakang sudut tinggi dengan maklumat yang kaya dengan komposisi, tetapi imej yang diambil pada 0.8 kV menunjukkan struktur permukaan atas yang lebih halus berbanding dengan imej yang diambil pada 5 kV. Ia perlu mempunyai bukan sahaja pengesan elektron atas (UED) tetapi juga penapis tenaga untuk mendapatkan imej elektron berselerak belakang permukaan atas untuk memotong elektron sekunder.
Voltan pecutan: 0.8 kV (ke kiri), 5kV (ke kanan)
Penapis tenaga: -250 V
Spesimen: Permukaan plat Au
spesifikasi
JSM-7200F | JSM-7200F dengan mod Vakum Rendah (LV) * Pilihan | |
Resolusi (1 kV) | 1.6 nm | |
Resolusi (20 kV) | 1.0 nm | |
Resolusi (Analisis) | 3.0 nm
(15 kV, WD:10 mm, arus probe:5 nA) |
|
Pembesaran | x10 hingga x1,000,000 | |
Mempercepatkan voltan | 0.01 hingga 30 kV | |
Arus siasatan | 1 pA hingga 300 nA | |
Pengesan (standard) | UED, LED | |
Pengesan (pilihan) | USD, RBED | |
Pistol elektron | Pistol elektron pelepasan medan Schottky dalam kanta | |
Kanta kawalan sudut bukaan | Dibina di | |
Kanta objektif | Kanta kon | |
Tahap spesimen | Peringkat goniometer eusentrik sepenuhnya | |
Pergerakan pentas | X: 70 mm, Y: 50 mm, Z: 2 hingga 41 mm,
Condongkan: -5 hingga 70°, Putaran: 360° |
|
Kawalan motor | 5 paksi motor dikawal | |
Ruang pertukaran spesimen | Diameter maksimum : 100 mm
Ketinggian maksimum: 40 mm (dibuang dengan nitrogen kering) |
|
Kedalaman fokus yang besar (LDF) | Dibina di | |
Mod LV | - | Dibina di |
Pengesan LV | - | LV-BED, LV-SED
(Pilihan) |
resolusi LV | - | 1.8 nm(30 kV) |
Tekanan dalam mod LV | - | 10 Pa hingga 300 Pa |
Kawalan orifis | - | Pada GUI operasi |
Gas yang diperkenalkan | Nitrogen | |
Sistem pemindahan (SIP, TMP) | SIP x 2, TMP | |
Sistem pemindahan (RP) | RP x 1 | RP x 2 |
Pilihan Utama
Pengesan elektron berselerak belakang boleh ditarik balik (RBED)
Pengesan elektron sekunder atas (USD)
Pengesan elektron sekunder vakum rendah (LV-SED)
Spektrometri sinar-X penyebaran tenaga (EDS)
Belauan serakan belakang elektron (EBSD)
Spektrometri sinar-X penyebaran panjang gelombang (WDS)
Peringkat spesimen besar (SS100S)
Ruang pertukaran spesimen (Jenis1)
Sistem navigasi pentas (SNS)
Kamera bilik
Meja operasi
Pandangan SMile
Spektrometer Pancaran X-ray lembut (SXES)
Kesesuaian
Permohonan JSM-7200F
Memperkenalkan Mikroskopi Elektron Pengimbasan Cryo
Produk Berkaitan
Produk Berkaitan
Spektrometer Pancaran X-ray lembut (SXES)
Spektrometer Pancaran X-Ray Lembut (SXES) ialah spektrometer resolusi ultra tinggi yang terdiri daripada kisi pembelauan yang baru dibangunkan dan kamera CCD X-ray dengan kepekaan tinggi.
Dengan cara yang sama seperti EDS, pengesanan selari adalah mungkin, dan analisis resolusi tenaga ultra tinggi 0.3 eV (Fermi-edge, Al-L standard) boleh dilakukan, mengatasi resolusi tenaga WDS.
Sistem Mikroskopi Elektron Optik & Pengimbasan Terkait miXcroscopy™
Pemegang spesimen yang sama kini boleh digunakan untuk kedua-dua mikroskop optik dan mikroskop elektron pengimbasan. Akibatnya, dengan menguruskan maklumat peringkat dengan perisian khusus, sistem boleh merakam lokasi yang diperhatikan dengan mikroskop optik, dan kemudian membesarkan lagi kawasan yang sama dengan mikroskop elektron pengimbasan untuk memerhati struktur halus pada pembesaran yang lebih tinggi & resolusi yang lebih tinggi.Sasaran cerapan yang ditemui dengan mikroskop optik boleh diperhatikan dengan lancar dengan mikroskop elektron pengimbasan tanpa perlu mencari sasaran semula. Kini anda boleh membandingkan dan mengesahkan imej mikroskop optik dan imej mikroskop elektron dengan lancar dan mudah.
Muka Blok Bersiri SEM JSM-7200F・7800F / Gatan 3View®2XP
3View®2XP (Gatan Inc.) digabungkan ke dalam mikroskop elektron pengimbasan pelepasan medan Schottky yang boleh menghasilkan probe elektron halus pada arus tinggi dalam jangka masa yang lama, membolehkan anda membuat keratan rentas spesimen secara automatik dan mendapatkan imej. Pembinaan semula 3D imej yang diperoleh membolehkan analisis terperinci struktur halus dalam tiga dimensi.
Maklumat lanjut
Adakah anda seorang profesional perubatan atau kakitangan yang terlibat dalam penjagaan perubatan?
Tidak
Sila diingatkan bahawa halaman ini tidak bertujuan untuk memberikan maklumat tentang produk kepada orang ramai.