Analisis Struktur Peranti Semikonduktor dengan Menggunakan Tomografi STEM/EDS

Pengenalan

Peranti semikonduktor digunakan secara meluas dalam produk elektronik di seluruh dunia. Dari segi sejarah, peranti semikonduktor bersepadu berketumpatan tinggi telah dilaksanakan dengan mengecilkan transistor pada cip. Baru-baru ini, peranti semikonduktor direka bentuk untuk menjadi seni bina susun tiga dimensi (3D) untuk penyepaduan dan prestasi tinggi [1-2]. Pemerhatian 3D dengan resolusi skala nanometer adalah penting untuk pembangunan dan analisis kegagalan peranti baharu [3-4]. Tomografi Elektron (ET) adalah salah satu kaedah untuk memperoleh struktur 3D sampel dengan resolusi 3D skala nano dengan menggunakan mikroskop elektron penghantaran (TEM). Tomografi EDS dilakukan dengan menggabungkan Spektroskopi X-ray Energy Dispersive (EDS) dan ET untuk merealisasikan pencirian kimia 3D daripada set peta siri kecondongan unsur 2D yang diambil oleh TEM yang dilengkapi dengan pengesan EDS [5-6]. Teknik ini digunakan pada peranti semikonduktor baharu dan bahan logam untuk memerhati struktur 3D ini [7-11]. Apabila keputusan pertama tomografi EDS dilaporkan pada tahun 2003, pengesan EDS jenis silikon-litium, yang mempunyai kadar pengiraan analitik yang rendah, biasanya digunakan untuk mendapatkan peta EDS dos elektron yang tinggi dan masa pemerolehan yang lama. Oleh itu, tomografi EDS tidak berguna untuk analisis unsur 3D kerana kerosakan pancaran penyinaran dan pencemaran pada sampel. Tetapi baru-baru ini, pengesan drift silikon bersaiz besar (SDD) dan sistem pengesanan EDS berbilang untuk TEM telah dibangunkan [12]. Dengan menggunakan sistem SDD baharu, peta EDS boleh diperoleh kira-kira 13 kali lebih pantas berbanding dengan menggunakan sistem pengesanan jenis silikon-litium sebelumnya [13]. Tomogram EDS daripada bahan keras telah menjadi mudah diperoleh dengan menggunakan sistem dual SDD, walaupun masih sukar untuk mendapatkan tomogram EDS daripada bahan sensitif rasuk seperti sampel bio.
Tomografi EDS ialah alat yang berkuasa untuk menganalisis struktur unsur 3D secara kualitatif, tetapi tomografi EDS mempunyai dua jenis pengehadan untuk analisis kuantitatif 3D yang disebabkan oleh kedudukan relatif sampel TEM dan pengesan EDS [14]. Rajah 1(a) menunjukkan kesan penyerapan, yang merupakan had untuk analisis kuantitatif dalam tomografi EDS. Anak panah hitam menunjukkan laluan sinar-X yang dihasilkan oleh elektron tuju. Apabila struktur sampel adalah simetri, jumlah keseluruhan sinar-X yang dihasilkan dari bahagian dekat dan jauh pengesan EDS adalah sama. Walau bagaimanapun, sinar-X yang dihasilkan dari bahagian jauh boleh diserap oleh sampel itu sendiri. Akibatnya, sinar-X yang dikesan dari bahagian jauh adalah lebih sedikit daripada sinaran dari sebelah dekat. Kesan penyerapan boleh menyebabkan artifak dalam peta unsur 3D yang terhasil. Kajian baru-baru ini telah cuba mengimbangi kesan penyerapan diri dengan pengiraan pada tomogram EDS yang diperolehi [15]. Rajah 1(b) menunjukkan satu lagi had, iaitu kesan membayang. Biasanya, sampel TEM telah ditetapkan pada grid dan tali pinggang diikat pada pemegang sampel. Apabila dua pengesan EDS terletak secara simetri berkenaan dengan paksi kecondongan pemegang sampel dalam sistem EDS sebelumnya, beberapa sinaran X yang dijana disekat oleh grid atau pemegang sampel dalam julat sudut senget tertentu. Pembayangan dalam konfigurasi ini juga boleh menyebabkan artifak dalam peta unsur 3D yang terhasil. Untuk mengelakkan kesan bayang-bayang ini, adalah perlu untuk membetulkan keamatan diukur peta EDS selepas pemerolehan, mengikut kecekapan pengesanan yang dijangkakan atau pra-ukur. Untuk analisis kuantitatif 3D, kedua-dua kesan penyerapan dan kesan pembayang perlu dikeluarkan daripada tomogram EDS.
Konfigurasi pengesan EDS sebelumnya ditunjukkan dalam Rajah 2(a). Pengesan EDS terletak pada kedua-dua belah paksi senget. Dalam konfigurasi ini, sudut pepejal SDD dipelbagaikan pada sudut senget. Kami telah menambah baik kepada variasi ini dengan konfigurasi pengesan EDS baharu, di mana SDD diletakkan pada paksi senget (Rajah 2(b)). Adalah dijangka bahawa SDD pada paksi senget tidak mempunyai kesan bayangan dalam semua julat sudut senget untuk tomografi EDS. Tujuan kajian ini adalah untuk menjelaskan bahawa konfigurasi pengesan EDS baharu tidak mempunyai kesan bayangan dalam tomografi EDS dan untuk mendapatkan peta unsur kuantitatif 3D daripada peranti semikonduktor.

Rajah.1 Gambar rajah skematik dua had untuk analisis kuantitatif 3D dalam tomografi EDS.

• Kesan penyerapan oleh sampel. Sinar-X dari bahagian jauh sampel lebih diserap oleh sampel itu sendiri daripada sinaran dari bahagian dekat.
• Kesan membayangi oleh pemegang sampel. Sinar-X daripada sampel disekat oleh pemegang sampel atau bar grid dalam julat sudut kecondongan tertentu. Anak panah hitam menunjukkan laluan sinar ke arah pengesan EDS.

Fig.2

• Sistem pengesanan EDS sebelumnya, yang terdiri daripada dua SDD yang terletak secara simetri. Satu di sebelah kanan paksi kecondongan dan satu lagi di sebelah bertentangan.
• Konfigurasi baharu sistem pengesanan EDS. Terdapat juga dua SDD, dan SDD2 ditambah pada paksi kecondongan. Dijangka tomogram EDS kuantitatif tanpa kesan bayangan boleh diperolehi dengan hanya menggunakan SDD2 untuk tomografi EDS.

Eksperimen

Mikroskop yang digunakan untuk eksperimen kami ialah penyimpangan yang diperbetulkan 300 kV TEM (JEM-ARM300F, JEOL Ltd.) dilengkapi dengan dua SDD (lihat Rajah 3). Satu pengesan terletak pada paksi senget pemegang sampel (SDD2), dan satu lagi berada di sebelah kanan paksi senget (SDD1) (Rajah 2(b)). Untuk mendapatkan tomogram EDS dengan cepat tanpa kesan bayang-bayang dengan hanya menggunakan SDD2, TEM 300 kV yang dilengkapi dengan sekeping tiang baharu, pemegang kecondongan tinggi analisis baharu dan SDD bersaiz besar, telah digunakan. Sekeping tiang baharu, dinamakan sekeping tiang jurang lebar (WGP), telah direka bentuk lebih nipis daripada sekeping tiang sebelumnya supaya pengesan EDS boleh mendekati pemegang sampel. Resolusi spatial TEM 300 kV dengan WGP ialah 0.062 nm disebabkan oleh pembetulan penyimpangan Cs. Pemegang kecondongan tinggi analitikal baharu telah dibangunkan untuk tomografi EDS. Hujung pemegang ini sempit dan nipis supaya sinar-X yang dihasilkan tidak disekat untuk tomografi EDS. Dengan menggunakan lampiran ini dan SDD bersaiz besar, yang kawasan pengesanannya ialah 158 mm2, sudut pepejal SDD2 sahaja dicapai menjadi lebih daripada 1.1 sr. Sistem pengesanan EDS kami boleh merealisasikan resolusi spatial yang tinggi dan kadar pengiraan analitikal yang tinggi walaupun dengan pengesan tunggal [13].
Kami menyediakan dua jenis sampel untuk eksperimen kami. Satu ialah sampel filem cat untuk menilai kesan bayang-bayang dalam sistem pengesanan EDS baharu. Yang lain ialah transistor kesan medan jenis sirip (FinFET) yang merupakan salah satu peranti semikonduktor termaju. Sebahagian besar filem cat, yang dibenamkan oleh resin epoksi, dihiris oleh mikrotomi kepada ketebalan 200 nm. Bahagian nipis telah dipasang pada membran yang disokong grid bar nipis berdiameter 3 mm. Peta EDS 2D diperoleh menggunakan TEM 300 kV dengan arus probe 300 pA. Satu siri kecondongan peta EDS dari -60 hingga +60 darjah dengan kenaikan 5 darjah diperoleh secara automatik oleh perisian tomografi (TEMography, SYSTEM IN FRONTIER Inc.) yang dipasang dalam PC kawalan untuk TEM. Saiz setiap peta EDS ialah 256 kali 256 piksel. Saiz piksel ialah 9.766 nm/piksel. Masa pemerolehan ialah 190 minit. Semua peta EDS yang diambil dalam percubaan kami telah diterjemahkan kepada peta kiraan bersih daripada peta kiraan gloss dengan keadaan yang sama dengan menggunakan pemprosesan kelompok yang dilaksanakan dalam perisian penganalisis EDS (Analysis StationTM, JEOL Ltd.). Pada permulaan dalam prosedur pembinaan semula, siri kecondongan imej HAADF-STEM telah diselaraskan oleh penanda fiducial dan struktur 3D tanpa maklumat unsur telah dibina semula. Algoritma pembinaan semula 3D untuk pembinaan semula ini ialah teknik pembinaan semula iteratif serentak (SIRT). Kedua-dua keadaan penjajaran yang sama dan keadaan pembinaan semula yang sama telah digunakan pada siri kecondongan EDS dengan menggunakan pemprosesan kelompok yang dilaksanakan dalam perisian TEMography. Akhirnya, kami memperoleh peta unsur 3D bagi sampel filem cat.
Sampel FinFET dipotong secara kasar oleh gergaji roda berlian berkelajuan rendah. Bahagian sampel ditipiskan dengan penggilap mekanikal. Akhirnya sampel telah dikisar oleh mesin pengisar ion Argon (Ion SlicerTM, JEOL Ltd.) untuk pemerhatian TEM [16]. Zarah koloid emas dengan diameter 5 nm dijatuhkan ke bawah pada sampel dan digunakan sebagai penanda fidicial untuk penjajaran siri kecondongan. TEM telah dikendalikan pada voltan pecutan 200 kV. Siri kecondongan peta unsur EDS diperoleh secara automatik dalam julat sudut condong dari +64 hingga -64 darjah. Langkah darjah ialah 4 darjah. Saiz setiap peta EDS ialah 256 kali 256 piksel. Saiz piksel ialah 1.953 nm/piksel. Ketumpatan semasa ialah 300 pA. Jumlah masa pemerolehan adalah kira-kira 120 minit dengan menggunakan SDD tunggal (SDD2). Prosedur pembinaan semula sampel FinFET adalah sama seperti sampel filem cat.

Fig.3

• 300 kV TEM (JEM-ARM300F, JEOL Ltd.) dengan dua SDD bersaiz besar ditunjukkan dalam (b).
• Kawasan pengesanan ialah 158 mm².
• Pemegang analisis kecondongan tinggi dibangunkan untuk tomografi EDS. Hujung pemegang lebih sempit dan nipis daripada yang standard supaya tidak menghalang sinar-X yang dihasilkan.

Keputusan dan perbincangan

Tomogram EDS daripada sampel filem cat telah diperoleh untuk menilai kesan bayang-bayang dalam sistem pengesanan EDS baharu, yang dipasang dalam TEM 300 kV. Imej HAADF dan peta unsur 3D ditunjukkan dalam Rajah 4. Sampel filem cat yang terdiri daripada zarah titanium oksida, zarah silika kecil, zarah oksida besi kecil dan resin karbon ditandakan dengan warna kuning, hijau, magenta dan biru dalam Rajah 4 (b), masing-masing. Jumlah keamatan Ti Kα yang diukur daripada peta EDS bagi sampel filem cat diplot terhadap sudut kecondongan peringkat sampel dalam TEM. Titik merah, biru dan hijau yang ditunjukkan dalam Rajah 5 sepadan dengan jumlah keamatan yang dikesan oleh SDD1, SDD2 dan SDD1+SDD2, masing-masing. Oleh kerana isipadu zarah titanium oksida dalam setiap peta EDS adalah malar, jumlah keamatan daripada peta Ti Kα mestilah malar dalam hasil analisis EDS kuantitatif. Walau bagaimanapun, keamatan yang dikesan oleh SDD1 dan SDD1+SDD2 menurun sekitar -20 darjah dengan kesan pembayang. Sebaliknya, keamatan yang dikesan oleh SDD2 kekal hampir malar sepanjang julat kecondongan sampel. Keputusan ini menunjukkan bahawa pengesan EDS yang terletak pada paksi senget hampir tiada penyekatan sinar-X daripada pemegang dan grid sampel. Sistem tomografi EDS yang hampir tanpa bayang telah direalisasikan dengan menggunakan pengesan EDS tunggal ini.
Sistem tomografi EDS tanpa bayang telah digunakan pada peranti semikonduktor. Imej HAADF dan peta siri kecondongan EDS FinFET diperolehi oleh TEM 300 kV yang ditunjukkan dalam Rajah 6. Titik putih dalam imej HAADF sepadan dengan zarah nano emas yang digunakan sebagai pembuat fiducial untuk penjajaran dalam 3D prosedur pembinaan semula. Peta unsur 3D FinFET yang ditunjukkan dalam Rajah 6 telah dibina semula dengan menggunakan algoritma SIRT. Dalam peta yang dihasilkan, germanium, titanium, tungsten, oksigen, nitrogen dan silikon telah dikesan. Struktur 3D elektrod pintu pada substrat silikon diperhatikan dengan jelas oleh tomografi EDS. Peta nitrogen 3D yang sepadan dengan filem penebat masih bising. Dos elektron yang lebih tinggi atau masa pemerolehan yang lebih lama diperlukan untuk memerhatikan taburan unsur 3D unsur cahaya dengan nisbah isyarat kepada bunyi yang tinggi walaupun dengan menggunakan SDD 158 mm2 yang sangat sensitif. Rajah 7 menunjukkan hirisan normal kepada arah X, Y dan Z yang diekstrak daripada peta isipadu unsur 3D yang diperolehi. Kedudukan peta kepingan Y-cut ditunjukkan oleh garis kuning dalam peta hirisan Z yang sepadan ditunjukkan di bawah peta hirisan Y-cut. Penegasan germanium (kuning), elektrod tungsten (hijau) dan saluran silikon (biru) jelas dilihat dalam peta kepingan Y-cut (a). Dan nitrogen (magenta) yang terletak di antara saluran dan elektrod diperolehi dalam peta unsur 3D. Daripada keputusan ini, kita boleh membuat kesimpulan bahawa tomografi EDS berguna untuk menganalisis struktur unsur 3D peranti semikonduktor moden.
Dalam kajian ini, kami cuba mengalih keluar kesan bayang-bayang dalam tomografi EDS dengan menambah baik konfigurasi pengesan dalam TEM. Walau bagaimanapun, kesan penyerapan juga perlu dikeluarkan untuk analisis kuantitatif 3D. Apabila sampel terdiri daripada unsur ringan bersama unsur berat, kesan penyerapan adalah serius dalam analisis unsur 3D kuantitatif oleh tomografi EDS. Kami telah menilai kesan penyerapan sinar-X oleh sampel filem cat itu sendiri dalam tomografi EDS. Set data tomogram EDS telah diambil oleh TEM 200 kV (JEM-F200, JEOL Ltd.) yang dilengkapi dengan dua SDD yang masing-masing terletak pada paksi senget dan di sebelah kanan pemegang sampel. Peta unsur 3D titanium, besi, aluminium, silikon, oksigen dan karbon telah dibina semula daripada peta siri kecondongan EDS bagi sampel filem cat. Nisbah komposisi unsur dengan voxel dengan voxel dikira dengan menggunakan kaedah Cliff-Lorimer. Kami telah membandingkan nisbah komposisi 3D daripada tiga zarah titanium dioksida yang ditunjukkan oleh anak panah kuning dalam Rajah 8. Nisbah komposisi 3D daripada zarah dengan diameter 115 nm adalah konsisten dengan fakta bahawa zarah itu adalah titanium dioksida. Tetapi peratus atom oksigen dalam zarah dengan diameter 190 nm dan 315 nm telah dipandang remeh. Ia dianggap bahawa dia X-ray daripada oksigen telah diserap oleh sampel itu sendiri. Pembetulan kesan penyerapan dikehendaki untuk menganalisis taburan unsur kuantitatif 3D dengan ketepatan yang tinggi dalam tomografi EDS.

Fig.4

• Imej HAADF bagi sampel filem cat, yang diambil oleh JEM-ARM300F dilengkapi dengan pengesan EDS, yang kawasan pengesannya ialah 158 mm2.
• Imej 3D yang dibina semula daripada sampel yang ditunjukkan dalam (a). Warna menunjukkan spesies atom: kuning (Ti), hijau (Si), magenta (Fe) dan biru (c).

Fig.5

Jumlah keamatan peta Ti Kα sampel filem cat menggunakan isyarat pengesan berbeza yang diplot terhadap sudut senget. Titik biru, titik merah dan titik hijau sepadan dengan Ti Kα peta yang dibuat oleh isyarat SDD1, SDD2 dan SDD1+SDD2, masing-masing. Keamatan yang dikesan oleh SDD2 hampir tetap pada julat kecondongan sampel untuk ET.

Fig.6

(a) Imej HAADF sampel FinFET yang diambil oleh JEM-ARM300F dilengkapi dengan SDD bersaiz besar tunggal yang kawasan pengesanannya ialah 158 mm². Titik putih sepadan dengan zarah nano emas yang digunakan sebagai penanda fidusial. (b)-(h) Peta unsur 3D bagi sampel yang sama dalam (a), dibina semula daripada peta siri kecondongan EDS, masing-masing menunjukkan taburan atom germanium, titanium, tungsten, oksigen, nitrogen dan silikon. Sampel telah dinipiskan dengan pengilangan ion. Saiz volum yang dibina semula ialah (381, 377, 121) nm.

Fig.7

Peta kepingan Y-cut dan Z-cut yang diekstrak daripada peta volum unsur 3D yang dibina semula bagi sampel FinFET menggunakan tomografi EDS. (a) dan (b) tunjukkan peta unsur hirisan potongan Y pada kedudukan berbeza yang ditunjukkan oleh garis kuning dalam peta hirisan potongan Z yang sepadan di bawah. Potongan Z adalah selari dengan permukaan wafer. Penekan germanium, elektrod tungsten dan saluran silikon dan substrat masing-masing berwarna kuning, hijau dan biru.

Fig.8

Peta unsur 3D bagi sampel filem cat yang dibina semula oleh tomogram EDS yang diperoleh menggunakan JEM-F200 dilengkapi dengan SDD dengan 100 mm² kawasan pengesanan (rajah kiri). Analisis kuantitatif 3D bagi tiga zarah titanium dioksida yang ditunjukkan oleh anak panah kuning ditunjukkan dalam jadual kanan. Nisbah komposisi oksigen dalam zarah 2 dan 3 dipandang remeh kerana kesan penyerapan sinar-X. Kesan penyerapan tidak boleh diabaikan untuk analisis kuantitatif dalam tomografi EDS.

Ringkasan

Untuk mendapatkan analisis unsur 3D kuantitatif, kami membangunkan sistem pengesanan EDS baharu untuk TEM, dan memasang sistem kepada TEM 300 kV yang diperbetulkan penyimpangan. Sistem pengesanan terdiri daripada dua pengesan EDS yang dikonfigurasikan secara berbeza, yang diletakkan pada paksi senget peringkat sampel (SDD2), dan di sebelah kanan paksi senget (SDD1). Kawasan pengesanan SDD ini ialah 158 mm². Di samping itu, kami membangunkan pemegang analitik kecondongan tinggi yang hujungnya lebih sempit dan nipis daripada pemegang standard untuk membuat sinar-X yang dijana daripada sampel tidak disekat. Dengan menggunakan mikroskop ini dengan lampiran ini, sudut pepejal SDD1 dan SDD2 ialah 1.106 sr dan 1.108 sr, masing-masing. Tomogram EDS daripada sampel filem cat diperoleh dengan menggunakan sistem pengesanan EDS baharu. Jumlah keamatan daripada Ti Kα peta filem cat adalah hampir tetap pada julat kecondongan sampel untuk tomografi. Hasilnya menunjukkan bahawa sistem pengesanan EDS baharu boleh mendapatkan tomogram EDS tanpa kesan bayangan. Peta unsur 3D daripada FinFET diperoleh tanpa kesan bayangan dengan menggunakan sistem pengesanan EDS baharu. Kesan pembayang boleh dialih keluar oleh konfigurasi pengesanan EDS kami. Pembetulan kesan penyerapan dikehendaki untuk menganalisis taburan unsur kuantitatif 3D dengan ketepatan tinggi dalam tomografi EDS.

Rujukan

• D. Hisamoto, WC Lee, J. Kedzierski, E. Anderson, H Takeuchi, K Asano, TJ King, J. Bokor dan C. Hu, "MOSFET saluran terlipat untuk era mikron sub-sepuluh dalam", IEDM Tech . Dig., (1998) ms 1032-1034.
• H. Tanaka, M. Kido, K. Yahashi, M. Oomura, R. Katsumata, M. Kito, Y. Fukuzumi, M. Sato, Y. Nagata, Y. Matsuoka, "Teknologi Boleh Skala Kos Bit dengan Proses Punch dan Palam untuk Memori Denyar Ketumpatan Ultra Tinggi" Prosiding Simposium mengenai Teknologi VLSI, (2007) ms. 14-15.
• AM Cormack,"Perwakilan fungsi oleh kamirannya, dengan beberapa aplikasi radiologi", J. Fizik Gunaan, 34 (1963) ms 2722-2727.
• M. Hayashida, L. Gunawan, M. Malac, C. Pawlowicz dan M. Couillard, "Tomografi elektron ketepatan tinggi peranti semikonduktor", Microsc. Mikroanal . 21, 3 (2015) ms 1609-1610.
• B. Fu, M. Gribelyuk, L. Dumas, C. Fang, N. LaManque, L. Hodgkins dan E. Chen, "Gabungan Tomografi STEM dan Analisis STEM/EDS Kecacatan Berkaitan Pembentukan NiSi dalam Pengasas Wafer Semikonduktor" , Microsc. Mikroanal . 22, 3 (2016).
• K. Lepinay, F. Lorut, R. Pantel dan T. Epicier, "Tomography 3D Kimia transistor gerbang logam K tinggi 28 nm: kaedah dan keputusan percubaan STEM XEDS", mikron 47 (2013) ms 43‒49.
• P. Burdet, J. Vannod, A. Hessler-Wyser, M. Rappaz dan M. Cantoni, "Analisis kimia tiga dimensi wayar keluli tahan karat NiTi yang dikimpal laser menggunakan FIB dwi-rasuk", Acta Mater., 61, 8 (2013) ms 3090–3098.
• A. Genc, ​​L. Kovarik, M. Gu, H. Cheng, P. Plachinda, L. Pullan, B. Freitag dan C. Wang, "XEDS STEM tomografi untuk pencirian kimia 3D bagi zarah skala nano", Ultramikroskopi 131 (2013) ms 24‒32.
• B. Goris, L. Polavarapu, S. Bals, G. Van Tendeloo dan L. Liz-Marzan, "Memantau penggantian galvanik melalui pemetaan morfologi dan kimia tiga dimensi", Nano Lett . 14, 6 (2014) ms 3220‒3226.
• G. Möbus, R. Doole, B. Inkson, "Tomografi elektron spektroskopi", Ultramikroskopi, 96, 3‒4 (2003) ms 433‒451.
• Z. Saghi, X. Xu, Y. Peng, B. Inkson dan G. Möbus, "Analisis kimia tiga dimensi probe tungsten oleh nanotomografi sinar-x penyebaran tenaga", Appl. Fizik. Lett. 91 (2007) hlm. 25.
• L. Strueder, P. Lechner dan P. Leutenegger, "Pengesan drift silikon̶kunci kepada eksperimen baharu", Sains semula jadi 85, 11 (1998) ms 539‒543.
• I. Ohnishi, K. Miyatake, Y. Jimbo, Y. Iwasawa, M. Morita, T. Sasaki, H. Sawada dan E. Okunishi, "Sistem Pengesanan X-Ray Sangat Cekap bagi Dua SDD Bersaiz Sangat Besar untuk Penyimpangan Dibetulkan 300 Mikroskop kV", Prosiding Mikroskopi & Analisis Mikro 2016, 22, S3 (2016) ms 318-319.
• CSM Yeoh, D. Rossouw, Z. Saghi, P. Burdet, RK Leary dan PA Midgley, "The dark side of EDX Tomography: Modelling Detector Shadowing to Aid 3D Elemental Signal Analysis", Microsc. Mikroanal. 21, 3 (2015) ms 759‒764.
• Pierre Burdet, Z. Saghi, AN Filippin, A. Borrás dan PA Midgley, "Kaedah pembetulan penyerapan 3D novel untuk tomografi EDX-STEM kuantitatif", Ultramikroskopi 160 (2016) ms 118‒129.
• A. Yasuhara, "Pembangunan Penghiris Ion (Peralatan Penyediaan Spesimen Filem Nipis)", Berita JEOL 40 (2005) ms 46-49.