Siri JBX-8100FS
Sistem Litografi Rasuk Elektron

Sistem Litografi Rasuk Elektron jenis titik JBX-8100FS mencapai daya pemprosesan tinggi, jejak kecil dan penjimatan kuasa elektrik.

Ciri-ciri

Tapak kaki kecil

Luas yang diperlukan untuk sistem piawai ialah 4.9 m (W) x 3.7 m (D) x 2.6 m (H), jauh lebih kecil daripada sistem konvensional.

Penggunaan kuasa yang rendah

Kuasa yang diperlukan untuk operasi biasa adalah kira-kira 3 kVA, dikurangkan kepada 1/3 daripada sistem konvensional.

Daya pengeluaran tinggi

Sistem ini mempunyai dua mod pendedahan, resolusi tinggi dan mod pemprosesan tinggi, menyokong pelbagai jenis corak daripada pemprosesan ultra halus kepada pengeluaran saiz kecil hingga sederhana. Ia telah meminimumkan masa melahu semasa pendedahan sambil meningkatkan kelajuan pengimbasan maksimum sebanyak 1.25 hingga 2.5 kali kepada 125 MHz (tahap tertinggi di dunia) untuk penulisan berkelajuan tinggi.

versi

JBX-8100FS tersedia dalam 2 versi: G1 (model kemasukan) dan G2 (model pilihan penuh). Aksesori pilihan boleh ditambah pada model G1 mengikut keperluan.

Fungsi Baru

Mikroskop optik pilihan tersedia untuk membolehkan pemeriksaan corak pada sampel tanpa mendedahkan rintangan kepada cahaya. Menara isyarat disediakan sebagai standard untuk pemantauan visual operasi sistem.

Resolusi kedudukan laser

Kedudukan peringkat diukur dan dikawal dalam langkah 0.6 nm sebagai standard, dan dalam langkah 0.15 nm dengan peningkatan pilihan.

Kawalan sistem

Sistem pengendalian Linux® serba boleh digabungkan dengan antara muka pengguna grafik baharu memberikan kemudahan dalam operasi. Program penyediaan data menyokong kedua-dua Linux® dan Windows®.

Model 200 kV！

Voltan Pecutan Maksimum Ke dunia 200 kV

JBX-8100FS ialah Sistem EBL Penulisan Terus dengan Optik Pancaran Gaussian yang direka untuk melaksanakan keperluan Pemprosesan Tinggi dan Ketepatan Tinggi daripada pelbagai aplikasi.
Platform modular dan boleh dinaik taraf menyokong pelbagai bidang daripada fabrikasi struktur nano termaju kepada pengeluaran Peranti Semikonduktor Kompaun.

Mendayakan aplikasi lanjutan seperti holografi, skala kelabu dan tatasusunan kanta mikro

Imej di bawah adalah perbandingan EBL antara 100 kV dan 200 kV.
200 kV menunjukkan kesan tirus yang dikurangkan dengan rintangan yang agak tebal.

Perbandingan Voltan Mempercepatkan antara 100kV dan 200kV (Sampel: rintangan tebal 10um)

Voltan Pecutan 100 kV
3,000 μC / cm2

Voltan Pecutan 200 kV
5,000 μC / cm2

Menentang : PMMA
Ketebalan: 10um
Saiz padang: 500um
Lebar corak: 2um
Substrat : Si

Notis:
Windows adalah tanda dagangan berdaftar Microsoft Corporation di Amerika Syarikat dan negara-negara lain.
Linux® ialah tanda dagangan berdaftar Linus Torvalds di AS dan negara lain.

spesifikasi

Muat turun Katalog

Sistem Litografi Rasuk Elektron Siri JBX-8100FS

Kesesuaian

Permohonan JBX-8100FS

Pembangunan Sistem Litografi Rasuk Elektron JBX-8100FS

Galeri

• 
• 

Maklumat lanjut