JBX-3050MV/S ialah sistem litografi rasuk elektron bentuk berubah-ubah untuk topeng dan retikel sehingga peraturan reka bentuk nod 45nm. Teknologi canggihnya mencapai kelajuan tinggi, ketepatan tinggi dan kebolehpercayaan yang tinggi. Sistem EB ini menggunakan rasuk elektron 50 kV berbentuk berubah-ubah dan peringkat langkah-dan-ulang.
Ciri-ciri
JBX-3050MV/S ialah sistem litografi rasuk elektron untuk fabrikasi topeng/retikel yang memenuhi peraturan reka bentuk 45 nm. Sistem ini menampilkan penulisan corak dengan kelajuan tinggi, ketepatan tinggi dan kebolehpercayaan yang tinggi, dicapai oleh teknologi canggih.
spesifikasi
| Ketepatan jahitan | ≦±3.8 nm |
|---|---|
| Ketepatan tindanan | ≦±7 nm |
Maklumat lanjut
Adakah anda seorang profesional perubatan atau kakitangan yang terlibat dalam penjagaan perubatan?
Tidak
Sila diingatkan bahawa halaman ini tidak bertujuan untuk memberikan maklumat tentang produk kepada orang ramai.