Mikroskop Elektron Pengimbasan Pelepasan Medan JSM-7610FPlus Schottky

Ciri-ciri

Ciri-ciri

Sistem optik JSM-7610F yang terkenal telah dikemas kini, mencapai resolusi yang lebih baik (15 kV 0.8 nm, 1 kV 1.0nm), dan kini boleh didapati sebagai JSM-7610FPlus.
Kanta objektif jenis kanta Semi-dalam dan Optik Kuasa Tinggi sistem penyinaran menyampaikan pemerhatian resolusi spatial tinggi dan keupayaan analisis yang stabil.
Selain itu, JSM-7610FPlus boleh dilengkapi untuk memenuhi pelbagai keperluan pengguna, termasuk pemerhatian pada voltan pecutan rendah dengan mod GENTLEBEAM™, dan pemilihan isyarat menggunakan penapis-r.

Kanta Objektif Kanta Separuh dalam

Reka bentuk kanta objektif separa dalam membolehkan pemerhatian resolusi ultra tinggi dengan pengesan dalam kanta.

Contoh：Platinum Catalyst Nano Zarah pada Karbon 15kV

Optik Kuasa Tinggi

Sistem optik elektron yang unik membolehkan pelbagai analisis dan pemerhatian pada pembesaran tinggi. Pistol elektron pelepasan medan Schottky dalam kanta, yang boleh menghantar arus probe 10 kali ganda daripada pistol elektron pelepasan medan Schottky (FEG) konvensional, bersama-sama dengan kanta kawalan sudut bukaan (ACL) yang boleh mengekalkan diameter probe kecil dengan sudut penumpuan yang sesuai walaupun dengan arus probe meningkat, memungkinkan untuk menggunakan arus probe 200 nA atau lebih. Optik berkuasa tinggi menyediakan semua prestasi yang anda perlukan untuk menjalankan segala-galanya daripada tontonan pembesaran tinggi kepada analisis EDS dan EBSD.

Pistol Elektron Schottky dalam kanta

Senapang elektron pelepasan medan Schottky dalam kanta menggabungkan senapang elektron dengan kanta pemeluwap penyimpangan rendah untuk membolehkan pengumpulan elektron yang cekap yang dihasilkan daripada senapang elektron.

Kanta Kawalan Sudut Apertur (ACL)

Kanta Kawalan Sudut Apertur (ACL) diletakkan di atas kanta objektif untuk melakukan pengoptimuman automatik sudut bukaan lensa objektif merentasi keseluruhan julat arus probe. Ini memungkinkan untuk mendapatkan diameter probe yang lebih kecil daripada yang mungkin dengan sistem konvensional, walaupun semasa arus probe adalah besar.

Diameter Probe Kecil, Walaupun Dengan Arus Probe Besar

Arus Siasatan Sangat Stabil untuk masa analisis lanjutan

Pistol elektron pelepasan medan Schottky yang dipinjamkan menyampaikan arus probe yang stabil.

Mod GENTLEBEAM™

Dalam mod GENTLEBEAM™ (mod GB), voltan digunakan pada spesimen untuk mengurangkan voltan pendaratan elektron sejurus sebelum ia memukul spesimen, membolehkan pemerhatian resolusi tinggi dengan voltan pecutan serendah 100 V.
Memandangkan kawasan serakan pancaran elektron dalam spesimen adalah kecil, mudah untuk memerhatikan struktur mikro pada permukaan, dan pengaruh ke atas spesimen yang terdedah kepada kerosakan haba dapat dikurangkan. Spesimen bukan konduktif boleh dilihat dengan mudah dengan pengecasan yang dikurangkan. Mod GB resolusi 1 kV dengan JSM-7610FPlus ialah 1.0 nm.

Kesan Mod GB

Mod GB meningkatkan resolusi pada voltan pecutan rendah.

Resolusi Diperbaiki pada Voltan Pecutan Rendah

r-penapis

Penapis r generasi seterusnya

Penapis r generasi seterusnya ialah penapis tenaga unik yang menggabungkan elektrod kawalan elektron sekunder, elektrod kawalan elektron berselerak belakang dan elektrod penapis. Apabila permukaan spesimen disinari oleh pancaran elektron, elektron dengan pelbagai tenaga dipancarkan dari permukaan. Penapis r baharu memungkinkan untuk mengesan elektron sekunder dan elektron berselerak belakang secara terpilih daripada spesimen manakala pancaran elektron dipegang di tengah kanta menggunakan gabungan pelbagai medan elektrostatik.
Berbanding dengan penapis r model sebelumnya, penapis r generasi seterusnya mempunyai peningkatan isyarat 3 kali ganda.

Pengesanan Isyarat Dengan Penapis r Baharu

Pengesan LABE (Pilihan)

Pengesan LABE (Low Angle Backscatter Electron) mampu mengesan tenaga yang sangat rendah dan elektron berselerak belakang sudut sangat rendah yang sebelum ini tidak dapat dikesan.
Maklumat topologi terperinci permukaan spesimen boleh diperolehi pada voltan pecutan yang sangat rendah, dan maklumat komposisi untuk spesimen boleh diperhatikan dengan resolusi yang baik pada voltan pecutan tinggi.

Pengesan LABE: Imej Elektron Terserak Belakang Sudut Rendah

Kontras penyaluran butiran kristal filem nipis boleh diperhatikan menggunakan elektron berselerak belakang dengan voltan pecutan yang sangat rendah.

Keluasan

Spektrometer X-ray Penyerakan Tenaga (EDS)

Optik Kuasa Tinggi membolehkan anda memanfaatkan secara berkesan ciri pengesan EDS (SDD: Silicon Drift Detector) yang sukar untuk tepu walaupun dengan arus probe yang besar. Dengan menggunakan voltan pecutan rendah dan arus probe yang besar, pemetaan kualiti yang baik boleh diperolehi dalam tempoh masa yang sangat singkat. Imej di bawah menunjukkan analisis lapisan graphene dan grafit yang sangat nipis pada substrat Ni yang diperolehi dalam masa 2 minit.

Walaupun menggunakan pengesan SSD 10 mm2 jenis asas, adalah mungkin untuk menganalisis keratan rentas filem berbilang lapisan kira-kira 100 nm dalam masa 30 saat sahaja.

Spektrometer X-ray Penyebaran Panjang Gelombang (WDS)

Oleh kerana Optik Kuasa Tinggi menyediakan arus probe yang besar dengan diameter probe yang kecil, adalah mungkin untuk memanfaatkan sepenuhnya ciri-ciri WDS. Menggunakan WDS membolehkan pengesahan perbezaan kepekatan surih atau pertindihan unsur dalam spesimen, yang tidak boleh dikenal pasti dengan EDS.

Pengesan Cathodoluminescence (CL)

CL ialah fenomena cahaya nampak yang dijana apabila spesimen terdedah kepada pancaran elektron. Cahaya yang dihasilkan daripada spesimen dikumpul menggunakan cermin fokus dan dikesan. Imej-imej di bawah ialah imej elektron sekunder dan imej CL yang diperoleh dengan kekisi pembelauan berlian pada 1 kV. Memerhati imej CL dengan voltan pecutan rendah mendedahkan kecacatan pada permukaan berlian dengan resolusi yang baik.

Ruang Spesimen Dioptimumkan untuk Analisis

Ruang spesimen direka bentuk untuk membenarkan pemasangan pelbagai pengesan dalam susun atur yang optimum, termasuk pengesan elektron sekunder, pengesan elektron berselerak belakang, EDS, EBSD, WDS, STEM dan pengesan katodoluminesen.
Pengesan elektron sekunder, EDS dan EBSD diletakkan untuk membolehkannya dilihat pada masa yang sama pada spesimen senget, dengan port EBSD berserenjang dengan kecondongan eusentrik pada pentas.

Pelbagai aksesori boleh dipasang serentak

spesifikasi

• Pilihan

• Microsoft Windows ialah tanda dagangan berdaftar Microsoft Corporation di Amerika Syarikat dan negara lain

Muat turun Katalog

Mikroskop Elektron Pengimbasan Pelepasan Medan JSM-7610FPlus Schottky

Kesesuaian

Aplikasi JSM-7610FPlus

CryoNote

Maklumat lanjut