BS-80020CPPS
Sumber Plasma
untuk Proses Suhu Rendah
Sumber plasma ini dikhususkan untuk proses suhu rendah, contohnya untuk substrat/filem plastik. Kualiti filem bagi filem terdeposit vakum boleh dipertingkatkan dengan pemendapan dibantu plasma dengan menurunkan peningkatan suhu substrat. Dan juga boleh digunakan untuk rawatan plasma seperti pembersihan dan pengubahsuaian permukaan.
Ciri-ciri
Boleh membentuk filem oksida berketumpatan tinggi dalam proses suhu rendah.
Pemendapan reaktif oleh plasma teruja rasuk elektron, dikaitkan dengan kesan pembantu ion.
Teknik Penyejatan Reaktif Teraktif (ARE), menggalakkan pelepasan yang sangat berkesan di atas pijar, untuk meningkatkan pengionan bahan penyejatan.
Boleh dipilih daripada mod CPPS, untuk proses suhu rendah, dan mod plasma biasa.
Retrofit ke ruang vakum sedia ada adalah mungkin.
spesifikasi
| Keluaran plasma maksimum | 3.2kW (160V, 20A) |
|---|---|
| Output dibantu maksimum | 2kW (200V, 10A) |
| Tekanan operasi | 8 × 10-3 hingga 8 × 10-2Pa (Ar, O2, N2 suasana) |
| Gas nyahcas (Ar) | 8 hingga 20mL/min |
| air penyejukan | 5 hingga 8 L / min |
| Bekalan kuasa kawalan yang berkenaan | BS-92040CPPC |
Muat turun Katalog
Sumber Plasma BS-80020CPPS untuk Proses Suhu Rendah
Produk Berkaitan
Produk Berkaitan
BS-80011BPG Sumber Plasma berkuasa tinggi untuk plasma berketumpatan tinggi
Sumber plasma dimasukkan ke dalam ruang vakum dan menjana plasma berketumpatan tinggi. Sumber plasma boleh digunakan sebagai Pemendapan Berbantu Plasma (Penyaduran Ion) dan adalah mungkin untuk menambah baik sifat filem untuk filem nipis optik, filem pelindung dan filem fungsi. Dan juga boleh digunakan untuk rawatan plasma seperti pembersihan dan pengubahsuaian permukaan.
Maklumat lanjut
Adakah anda seorang profesional perubatan atau kakitangan yang terlibat dalam penjagaan perubatan?
Tidak
Sila diingatkan bahawa halaman ini tidak bertujuan untuk memberikan maklumat tentang produk kepada orang ramai.