Siri JBX-A9
Sistem Litografi Rasuk Elektron

Ciri-ciri
Sistem Penulisan Terus Ketepatan Tinggi dan Throughput Tinggi
Dibina dengan Optik Elektron JEOL yang terkenal untuk kestabilan muktamad
Wafer boleh dimuatkan sehingga 300 mm
Sistem FOUP tersedia secara pilihan
Kebolehlanjutan dalam talian kepada alat proses lain seperti pelapis dan pembangun
Penggunaan kuasa yang rendah
Kemudahan penggunaan yang dipertingkatkan untuk semua peringkat pengalaman
DFB Laser / Nanoimprint

Metalens

Susunan Lensa

T-Gate

Kristal Fotonik

spesifikasi
Perkara | spesifikasi |
---|---|
Voltan Mempercepat | 100 kV |
Saiz Medan Maksimum | 1000 μm |
Kenaikan Minimum | 0.25 nm |
Ketepatan Jahitan | ±9 nm |
Ketepatan Tindanan | ±9 nm |
Lebar garisan minimum | ≦8 nm |
Arus Rasuk | 50 pA hingga 400 nA |
Kelajuan Pengimbasan Maksimum | 200 MHz |
Resolusi Kedudukan Peringkat | 0.15 nm |
Pembetulan Aberasi Automatik | Focus Dynamic Stimatisme dinamik Pembetulan herotan pesongan |
Saiz Sampel Maksimum | 300 Wafer Topeng 9 inci |
Penggunaan Kuasa | 5kVA |
Jejak | 7.4 m × 5.3 m × 2.7 m (H) |
Konfigurasi asas |
---|
Unit Asas |
10 Sistem Pemuatan Auto Kaset |
Program Kawalan dengan Sistem CPU |
Lesen Tambahan untuk Program Penyediaan Data |
Apertur OL Kawalan Jauh |
Pilihan |
---|
Mikroskop Optik in-situ |
Sistem Pemuatan Auto Wafer FOUP |
Buka Sistem Pemuatan Auto Wafer 200 mm Kaset |
Program Voltan Tinggi 48kV |
Kaset Tersuai |
SECS/PERMATA |
AC |
Sistem pembatalan EMI |
* Hubungi pejabat JEOL tempatan untuk mendapatkan butiran lanjut tentang model gred lain.
Muat turun Katalog
Sistem Litografi Rasuk Elektron Siri JBX-A9
Kesesuaian
Pembangunan JBX-A9, Sistem Litografi Rasuk Elektron
Galeri

Maklumat lanjut


Adakah anda seorang profesional perubatan atau kakitangan yang terlibat dalam penjagaan perubatan?
Tidak
Sila diingatkan bahawa halaman ini tidak bertujuan untuk memberikan maklumat tentang produk kepada orang ramai.